硅片制绒
高产能、低光衰、低封装损失和Cz单晶产品高转换效率、低位错密度、可采用碱制绒工艺的技术优势。同时，铸锭单晶由于晶体结构一致，有利于金刚线切割大硅片，也有利于高效电池工艺提高单炉产量，可降低成本，提高
稳定性。 黑硅技术不仅解决了金刚线切多晶硅片反射率过高问题，还能附带电池效率的提升。保利协鑫TS+第二代黑硅片采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，背面抛光更适用于PERC技术。实测数据显示，其制绒成本
。 在降低成本方面，晋能科技从硅片、导电银浆、TCO靶材、制绒添加剂、设备几大方面着手，已经取得初步成果。其中，仅导电银浆一项，通过与供应商共同开发新产品，可同时优化耗量，最高降幅可达50%之多。对于
片子肯定是Jo片，所以这种片子也是一定要返工的;
6.异常色差，如下图所示：
原因：制绒槽的风刀堵住所致;
解决：更换风刀;
7.边缘色斑印，
如下图所示，镀膜后该区域依然较明显
PECVD目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
镀膜原理
光照射在硅片表面时，反射会使光损失约三分之一
(砂浆切割硅片和酸制绒)将被淘汰，并全面升级 至P3( 金 刚 石切割硅 片和 黑硅制绒)，总产能 高达4.5GW。此外，从2017的第三季度，P4( 金 刚 石切割硅 片、 黑硅制绒和多晶
制造工艺、薄硅片应用、温度系数和CTM低、可双面发电等一系列优势。异质结电池实现低成本量产的关键在于设备国产化、提高良率和产能以及降低硅片、低温银浆、TCO靶材和清洗制绒化学品等成本。日本松下、上澎
降本提效的空间在哪里?未来的多晶主流趋势又是什么? 金刚线技术在多晶产线上的百分百应用，大幅度降低了多晶生产成本。但是用金刚线切割多晶硅片，采用常规酸制绒无法实现良好的表面织构，甚至无法形成绒面
2-3 年高效电池技术的设备进行研发储备，其中链式 HIT硅片清洗设备和超高产能 HIT单晶制绒清洗设备已完成了样机制作，应用于 TOPCon 技术的管式LPCVD 已进入了样机设计阶段，超高产能槽式
黑硅技术，三类片黑硅制绒效率较产线多晶黑硅片高0.21%，与多晶黑硅外观几乎一致，而且颜色更加均一。 目前，保利协鑫铸锭热场工艺、高纯坩埚、锭检设备已经全面升级，继金刚线切黑硅片之后，铸锭单晶硅片将成为对市场有重大影响的差异化产品。
。 据了解，保利协鑫TS+第二代多晶黑硅片制绒成本降低约30%，电池效率增益约0.5%，引领全国200余条黑硅产线、25吉瓦黑硅产能降本提效，未来金刚线+黑硅+PERC技术将成为300W+多晶组件的标配
