硅片减薄

换效率的影响越来越明显。太阳能电池的生产过程中，基体硅片的成本占整个生产成本的比例最高，为降低生产成本，尽快实现光伏电价平价上网，提高市场竞争力，硅片薄化是必然的趋势，随之产生的问题就是电池表面复合严重

)烧结过程需控制低温烧结。 ✔成本：设备与耗材未来降本空间大 目前异质结电池成本主要来自硅(47%)、浆料(24%)、折旧(6%)、靶材(5%)。具体来看：1)硅成本降低空间主要来自硅片减薄，未来减薄

改造，使156MM的太阳能级硅片的晶片厚度减薄了20微米，产能提升25%以上。隆基于2017年3月份对外公开单晶低衰减技术成果。应用LIR技术即光致再生技术，由隆基股份与澳大利亚新南威尔士大学、武汉

降低了拉棒成本;(2)切片环节由砂浆切割向金刚线切割转换，通过减少损耗、减薄硅片来提高出片率，从而降低切片成本。 目前正在发生的变化亦有二：(1)硅料环节高技术的新产能向低电价区转移，从而降低硅料成本

。一般来说，特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到200-100m;对于要求较高的产品，甚至需要减薄到80m。当硅片厚度减到 200-100m 的量级，硅片就极易破碎和翘曲，给整个加工流程带来较大困难

膜的作用、简述膜的特性 1、氮化硅膜的减反原理 光照射在硅片表面时，反射会使光损失约三分之一。如果在硅表面有一层或 多层合适的薄膜，利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，这种膜称为太 阳电
2.红片 原因：(1).沉积时间过短; (2).减薄量过低; (3).石墨舟使用次数过多 (4).石墨舟预处理效果不佳 解决：(1).根据实际情况调整镀膜时间; (2).根据已镀膜完

超过10GW的SHJ太阳能电池技术的规模化、商业化、低成本化的产品转化。 异质结太阳电池现阶段生产成本仍偏高。但随着更多企业的加入，以及设备国产化、硅片减薄、低温银浆用量的降低等，异质结电池的成本有望