硅片减薄

片率不变的情 况下，硅片尺寸的增加可以增加单位时间产出的电池和组件的功率，从而摊薄制造成本，在不改变组件尺寸的情况 下，大硅片可减小片间距占比，提升组件功率。在降成本的驱动下，硅片大型化已成趋势

制造企业也开始研究该工艺在产线上的沿用。 叠焊组件的关键技术点有三个： 1. 重叠区焊带减薄：Tiger组件使用了柔性的圆丝焊带，在重叠区域对焊带进行压扁设计，整体厚度低于非重叠区域和常规组件
2019年光伏行业的关键词是硅片尺寸，随着硅片尺寸逼近制造极限 ，2020年的关键词将是TR叠焊，该工艺已成为备受众多企业关注的光刻技术之一。这项技术能否为摩尔定律续命?它又是否已经到了最好的应用

区焊带减薄：Tiger组件使用了柔性的圆丝焊带，在重叠区域对焊带进行压扁设计，整体厚度低于非重叠区域和常规组件。 2. 重叠区焊带整形：整形后的焊带形状为变形的 Z 字形，可以有效解决电池片重叠区域
不断的尺寸变化，不仅给电池和组件制造商造成投资困扰，也让很多客户不知所措。原则上通过增加硅片和组件尺寸，并不是真正意义上的技术进步，而且由于供应链和设备的关系，比如玻璃的宽度限制，层压机的极限

摊薄成本。非硅成本包括长晶过程中设备、电 力、人工、特气的耗费，以及切片过程中金刚线线材损耗等其他成本。 单晶市占率上升，与多晶价差扩大。根据智研咨询，2018年国内单晶硅片产量占
电费为重要降本点。对比长晶环节成本占比，单晶硅片比多 晶硅片高出约21%，单晶硅片降本仍存空间，主要是通过以下几种途径：1)改进拉棒技术提高单炉产出，采用连续拉棒技术摊薄损耗和设备折旧;2)将产线建在

组件价格有立竿见影的作用，硅片每减薄20m价格下降约10%，组件价格可降低5-6分/W。根据CPIA统计，预计2025年硅片厚度可降至140-160m(图2.3)。但厚度减薄的同时，更大尺寸将承担更高

侵蚀性成分腐蚀减薄氮化硅层，最后形成的氧化铝/ 背面氮化硅叠层厚度约为230～250 nm，如图5 所示。 背抛光后硅片印刷氧化铝并烧结，使用WT-2000 设备测试少子寿命值在10 s 左右

低温工艺(250℃)，避免采用传统的高温(900℃)扩散工艺获得 p-n 结。三个角度降本，1、节约能源;2、硅片减薄。低温沉积过程中，单晶硅片弯曲变形小，因而其厚度可以采用本底光吸收材料所要求的

180m，N型与P型硅片厚度亦基本一致。但N型硅片具备更高的减薄潜力，异质结电池已有100m 以下厚度的试验产品，转换效率超过24.5%。预计随着硅片薄片化趋势的持续，异质结电池硅片成本有望得到进一步

在多晶硅价格高启时，所有人都想通过减薄硅片实现大幅降本，但过去10年，硅片厚度并未从200微米减薄多少，现在硅片一般都在180微米左右。相对于10年前125*125的硅片面积来说，现在166*166