硅太阳电池

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PERC之后 大幅提高转换效率的黑科技!来源:智汇光伏 发布时间:2018-08-03 15:07:02

310W、295W。为了同时实现高效、低价,最流行的高效技术几乎都得到了应用: PERC、双面、N型、半片、MBB、MWT、黑硅...... 可见,在领跑者的推动下,很多新技术从实验室加速走向应用实践
、MBB、黑硅(领跑者按正面功率计算,所以双面暂不考虑),当普通组件叠加这些技术之后,功率都会有一定的提升,如下表所示。 2018年各种技术路线的组件功率分布如表1所示。 从上图可以看出,要想

光伏不灭,创新驱动!晶澳、协鑫、阿特斯、通威…一文看完531后光伏企业的技术之战来源:365光伏 发布时间:2018-08-02 13:21:00

有限公司 江苏中能硅业科技发展有限公司 北京汉能光伏投资有限公司 江苏中天科技股份有限公司 南京日托光伏科技股份有限公司 另外,在7月31日国家工信部公开的《工业和信息化部办公厅关于开展2018年
智能化水平。 6月9日至10日 天合光能携黑科技扮靓上合组织青岛峰会,拥有混然天成的亚光视觉感和19.2%的超高效率。 6月13日 天合光能承担的国家863科技计划课题“抗PID高效率P型硅

双面光伏组件介绍及其应用前景分析来源:太阳能杂志 发布时间:2018-08-02 09:52:31

年代,基于p+pn+ 或p+nn+ 结构的双面受光晶体太阳电池的结构被正式提出。 1994 年Moehlecke 等在第一届世界光伏会议上介绍了基于p+nn+ 结构的双面太阳电池,该电池的正面

表面钝化技术路线多样 谁主沉浮?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-08-02 09:45:02

摘要:随着晶体太阳电池技术的不断发展,硅片的厚度不断降低,电池表面钝化对提高太阳能电池转化效率变得尤为重要。本文介绍了表面钝化膜在晶体太阳电池中的应用,以及几种晶体硅电池表面钝化方法,包括

PERC电池效率现状及提升空间来源:节选自亚化咨询《PERC技术专刊》 发布时间:2018-08-01 15:14:12

1、PERC电池技术的转化效率 光电转换效率是晶体太阳电池最重要的参数。 2017年,我国产业化生产的常规多晶硅电池转换效率达到18.8%,单晶硅电池转换效率达到20.2%。 与常规电池

单晶PERC工艺优化有哪些容易忽视的细节?来源:太阳能杂志 发布时间:2018-07-30 14:23:06

来源:太阳能杂志 摘要:以Al2O3/SixNy为钝化层,制备了PERC单晶太阳电池,研究Al2O3钝化层厚度对钝化效果的影响,分析硅片少子寿命变化、烧结曲线对PERC电池电性能参数的影响
。 0 引言 随着能源日益紧张,环境保护越来越迫切,可再生绿色能源越来越受到人们的关注。太阳电池是研究热点之一,也是目前唯一产业化的太阳电池。为了进一步优化其生产工艺、提高晶体硅电池片效率、降低

15栅来了?你不得不了解的栅线优化设计的那些事儿来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-30 14:11:24

来源:摩尔光伏 摘要:优化设计太阳电池的电极图形可以获得高的光电转换效率。文中以实例介绍了晶体太阳电池上丝网印刷电极的优化设计,讨论了电池的功率损耗与扩散薄层电阻及细栅线宽度的关系,在原始设计的

匡宇科技高方阻太阳能电池正面银浆荣获高新技术成果转化A级证书来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-30 14:07:30

第十二届(2018)国际太阳能光伏与智慧能源(上海)展览会暨论坛十大亮点发布颁奖礼上,匡宇科技荣获兆瓦级翡翠奖。 本次匡宇科技获奖的正银TC-858H银浆,针对金刚线切割硅片及黑硅硅片所带来的拉力
降低缺陷,匡宇科技利用专利配方,极大的提高了银浆在此类硅片上的拉力,得到了众多客户的认可。 对于PERC高效电池,匡宇科技针对性开发无机配方,推出了PERC 专用正银TC-828P,同时在

腾晖光伏成功入选江苏省优秀研究生工作站、“双创计划”科技副总项目来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-26 15:33:40

及其双玻组件、低光衰高效率背面钝化单晶太阳电池及组件等多项产品以及技术加快了光伏评价上网的步伐。 苏州腾晖光伏2017年与四川大学谢凌志教授签订科技副总协议,期间,谢教授协助腾晖在村镇民居嵌入式
光伏建筑一体化方面的进行技术研发,针对地震活跃地区嵌入式光伏系统需具备的与建筑有机集成、高抗震性能、高居住舒适度等特点,开展了关于晶硅电池材料与组件、薄膜电池材料与组件、聚光器的一系列研究,为我国

基于数据分析的钝化层钝化效果分析来源:太阳能杂志 发布时间:2018-07-26 15:05:07

太阳电池的钝化层直接影响太阳电池的性能,钝化层界面上固定电荷密度和缺陷密度是分析其钝化效果的关键参数。本文通过建立MOS模型来模拟钝化层的电容-电压(C-V)特性曲线,并使用函数表达模拟曲线,建立
基于函数的数据库,将实验获取的C-V 曲线与数据库进行比对找出实验数据对应函数,提取出钝化参数Nf和Dit,并以此分析钝化层的钝化效果。 一 MOS模型建立 为了更好地研究晶体硅钝化层的钝化