硅太阳电池

太阳电池的钝化层直接影响太阳电池的性能，钝化层界面上固定电荷密度和缺陷密度是分析其钝化效果的关键参数。本文通过建立MOS模型来模拟钝化层的电容-电压(C-V)特性曲线，并使用函数表达模拟曲线，建立
基于函数的数据库，将实验获取的C-V 曲线与数据库进行比对找出实验数据对应函数，提取出钝化参数Nf和Dit，并以此分析钝化层的钝化效果。 一 MOS模型建立 为了更好地研究晶体硅钝化层的钝化

，开口处加装一个旁路二极管。当一串联支路中被遮蔽的太阳电池组件，将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量，被遮蔽的太阳电池组件此时会发热，这就是热斑效应。这种效应能严重的破坏太阳电池。有光照

使用寿命。为了消除热斑效应，目前常用方法是在组件中加入旁路二极管。以晶体硅太阳电池组件为例，让多片串联的太阳电池反向并联一个或多个旁路二极管，当电池片串列中的电池由于部分或全遮挡等因素出现性能失配时

工艺制作正面电极，再通过快速烧结工艺使电极与硅基底形成良好的欧姆接触。电子浆料是制造厚膜元件的基础材料，是一种由固体粉末和有机溶剂经过三辊轧制混合均匀的膏状物，在现代电子科技业运用非常广泛。晶硅太阳电池

子公司，主营业务为晶体硅太阳电池及组件的研究、制造和销售。致力于光伏技术研发、光伏产品制造与销售以及光伏系统的设计和实施。 秉承以客户为中心，以价值创造者为本的企业价值观，不断开拓创新，务实奋进。通过
持续的技术创新和扩大生产规模，不断提高太阳电池和组件的质量、降低制造成本,从而使太阳能这一取之不尽、用之不竭的绿色能源走进千家万户，为人类发展创造更加美好的明天！

已经形成p-n结的硅片放入高温炉中，在高温下与氧化剂进行反应就可以长出一层SiO2薄膜，对太阳电池表面起到钝化作用。热氧化法制备的SiO2薄膜，由于热氧化二氧化硅中存在大量固定正电荷，这些固定正电荷将

接触电阻的增大，影响电池的串联。选择性发射极太阳电池的结构设计可以很好地解决这一矛盾。选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂

传统太阳能电池(硅基电池、铜铟镓硒等)结合制备叠层器件等优点，受到学术界和产业界的关注。但仍然存在开路电压与理论值差距较大、光电转换效率仍然偏低等应用瓶颈。 在纳米研究国家重大科学研究计划
(2015CB932200，钙钛矿型太阳电池的基础研究)的支持下，北京大学朱瑞研究员、龚旗煌院士与合作者展开研究，针对反式结构钙钛矿太阳能电池在光电转换效率上存在的瓶颈，提出了胍盐辅助二次生长方法，开创性地实现了

多晶。在太阳电池组件的转换效率一定的情况下，光伏系统的发电量是由太阳的辐射强度决定的。光伏电站的发电量直接与太阳辐射量有关，太阳的辐射强度、光谱特性是随着气象条件而改变的。 5、阴影遮挡 组件在
域透光率下降，从而使热斑进一步恶化，导致太阳能电池组件的失效加剧。 6、温度系数 晶硅电池的温度系数一般为-0.4%～-0.45%/℃，并且单晶温度系数小于多晶。外界环境温度的变化及组件在工作