湿法黑硅

来袭保利协鑫发布第二代高效黑硅片11月2日，在第九届中国(无锡)国际新能源大会开幕当天，保利协鑫重磅发布TS+系列第二代黑硅片，引发客商广泛关注。TS+黑硅片采用保利协鑫最新一代湿法黑硅技术，其效率

起跑线。但金刚线切多晶硅片面临表面处理问题，目前已经成熟量产的黑硅技术不但成功解决绒面反射，而且提升0.3%-0.6%的转换效率，效率提升的增益超过黑硅制绒端的投入。据测算，湿法黑硅技术成本上升约

切多晶硅片面临表面处理问题，目前已经成熟量产的黑硅技术不但成功解决绒面反射，而且提升0.3%-0.6%的转换效率，效率提升的增益超过黑硅制绒端的投入。据测算，湿法黑硅技术成本上升约0.02元/瓦左右

，所以明年多晶组件的出货的主要功率均为270~275W之间的产品，产能可以高达40GW以上。2)湿法黑硅干法黑硅技术路线储备很久，但是成本下不来(每片成本＞0.3元)，干法黑硅这一技术路线很可能面临淘汰的

成熟量产的黑硅技术不但成功解决绒面反射，而且提升0.3%-0.6%的转换效率，效率提升的增益超过黑硅制绒端的投入。据测算，湿法黑硅技术成本上升约0.02元/瓦左右，有0.05元/瓦的增益，性价比提升

黑硅技术目前每张硅片需要增加0.2元的成本，效率也有所提升，但电池片的组件封装损失过大，主要原因是：湿法黑硅技术增加了蓝光的吸收，而光伏玻璃有阻挡了蓝光的入射，所以导致封装损失过大。湿法黑硅技术的主要

大范围的普及主要有赖于添加剂技术的成熟应用，但在转换效率上略有下降。咨询产业上的技术人员，他们有信心通过不断优化以后，保证使用添加剂的硅片转换效率不降低，60片标准组件的功率可以做到270W。湿法黑硅
技术目前每张硅片需要增加0.2元的成本，效率也有所提升，但电池片的组件封装损失过大，主要原因是：湿法黑硅技术增加了蓝光的吸收，而光伏玻璃有阻挡了蓝光的入射，所以导致封装损失过大。湿法黑硅技术的主要推动者

。同时，由于金刚线多晶硅片表面光滑及不同亮暗晶格绒面差异非常大，容易导致三道的印刷湿重偏低、Rs异常等，需要根据情况调整印刷速度、压力等参数。金刚线多晶硅片不论是利用直接添加剂法制绒，还是干/湿法黑硅