氮化硅膜

)。该设备可通过超薄银浆精细种子层提高电池效率，以便于批量生产。 针对问题：业内生产商目前大都通过丝印厚膜银浆为晶硅太阳能电池进行正面电镀。通常情况下，为了获得足够的导电能力，丝网印刷接触指宽
0.3-0.5%，还能大幅减少银浆的使用量。新一代太阳能电池中已通过激光烧穿接触工艺对氮化硅(SiN)薄膜进行处理，鉴于此CPL工艺十分适用于对晶硅进行直接电镀处理。这就使得进一步提高电池效率的想法具有可行性

有效提高电池转换效率及生产效率，使太阳能成为更具成本竞争力的新一代能源产品。 正面浅结银浆 新产品系列，NS 33-510 ，NS 33-520 能够实现更高的转换效率，可有效穿透氮化硅
减反射膜，具备较宽的印刷烧结工艺窗口。此系列浆料能够在55-70高方阻硅片形成良好的欧姆接触，其优异的流变性能够满足客户栅线的高宽比需求。该系列产品和福禄的背银浆料，无铅低弯曲铝浆具有更高的匹配性。NS

。 　　四 结论 　　目前，产业化的SiNx镀膜技术还在不断的发展，每一种技术都有其特性点，也都有其不足。太阳电池向着新型特种结构和工艺的方向发展，对氮化硅膜提出了一些新的要求。 　　例如，有一种新型
太阳电池要求双面镀膜，正面镀氮化硅，背面镀二氧化硅和氮化硅，这种情况下，灵活的微波间接法就有较大的优势。另一些技术要求在制备出氮化硅薄膜后还进行湿法光化学金属镀膜工艺，这对氮化硅膜的密度和质量要求高了

专用生产设备，几年后将实现大规模应用。 先进的高质量钝化膜将取代当前单一的氮化硅膜。随着选择性发射结工艺的广泛应用，更迫切地需要有先进的钝化膜进一步将上表面的载流子复合速度降低一个

在150mm见方的电池单元表面形成的氮化硅膜上，利用激光打出1亿个小孔。在量产方面该公司开发的激光加工设备的处理能力如何提高是一大课题。如果能够提高激光加工设备的处理能力，便可降低单位输出功率的制造成本。

，每个150mm见方的电池单元就可提高0.4W的输出功率。这样，由50个电池单元排列而成的模块，其输出功率就可提高20W。 　　要形成“蜂窝构造”，就需要在150mm见方的电池单元表面形成的氮化硅膜上

,增强光的有效吸收,对电池表面进行钝化和通过改进电极的结构。在增强对太阳光 的有效吸收方面采用了多种方法:如多层减反射膜,倒金字塔结构,机械和化学刻槽等。而随
前后由半导体氧化层或氮化硅层金属层所构成的电容值分别为CA 和C*A,则 CA=EiE0Ad C

。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可
正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n

多晶硅薄膜太阳电池，结构为背电极/衬底/制有P-N结的多晶硅薄膜/栅状上电极，在电池入射光表面有氮化硅减反射膜，其特征在于：在衬底和制有P-N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P