| 申请专利号 | 200610117155.9 |
| 专利申请日 | 2006.10.13 |
| 名称 | 廉价多晶硅薄膜太阳电池 |
| 公开（公告）号 | CN1933185 |
| 公开（公告）日 | 2007.03.21 |
| 类别 | 电学 |
| 颁证日 | |
| 优先权 | |
| 申请（专利权） | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 地址 | 200083上海市玉田路500号 |
| 发明（设计）人 | 褚君浩;石刚;高文秀;石富文 |
| 国际申请 | |
| 国际公布 | |
| 进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 |
| 代理人 | 郭英 |
| 摘要 | |
| 一种廉价多晶硅薄膜太阳电池，结构为背电极/衬底/制有P-N结的多晶硅薄膜/栅状上电极，在电池入射光表面有氮化硅减反射膜，其特征在于：在衬底和制有P-N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P | |
上海物理研究所－廉价多晶硅薄膜太阳电池
来源：上海物理研究所发布时间：2007-06-08 14:47:40
责任编辑：索比太阳能网资讯中心
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