上海物理研究所-廉价多晶硅薄膜太阳电池

来源:上海物理研究所发布时间:2007-06-08 14:47:40
申请专利号 200610117155.9
专利申请日 2006.10.13
名称 廉价多晶硅薄膜太阳电池
公开(公告)号 CN1933185
公开(公告)日 2007.03.21
类别 电学
颁证日
优先权
申请(专利权) 中国科学院上海技术物理研究所
地址 200083上海市玉田路500号
发明(设计)人 褚君浩;石刚;高文秀;石富文
国际申请
国际公布
进入国家日期
专利代理机构 上海智信专利代理有限公司
代理人 郭英
摘要
一种廉价多晶硅薄膜太阳电池,结构为背电极/衬底/制有P-N结的多晶硅薄膜/栅状上电极,在电池入射光表面有氮化硅减反射膜,其特征在于:在衬底和制有P-N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P

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