双面制绒

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合肥市光伏产业发展“十三五”规划来源:世纪新能源网 发布时间:2017-11-28 23:59:59

)、多槽清洗设备、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、高精度丝网印刷机等晶硅电池片生产线设备,大面积TCO导电玻璃镀膜设备、用于背电极制备的多靶位磁控溅射系统,以及大尺寸、超薄硅片多线切割机、自动
力。到2020年底,光伏电池片及组件实现产值600亿元。发展路径:重点支持通威太阳能、海润光伏发展高转换率、长寿命晶硅电池,支持低反射率绒面制备、选择性发射极及后续的电极对准、等离子钝化、低温电极技术

新时代光伏业发展大势:中国主导市场与技术发展来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2017-11-15 18:07:59

,产线装备是产业技术的载体、核心,没有装备则不能称其为技术。目前我国在单晶硅CZ炉、多晶硅定向凝固炉、多线切割机已经实现了国产化并成功占领市场,PECVD、扩散炉、电极、印刷、烧结线等产线装备则
,光伏电力已成为最便宜的电力。而中国主导的光伏技术创新将渐成主流。随后周浪分析了PERC 太阳电池技术 、n型双面太阳电池技术的结构及其研究发展。周浪表示,PERC电池近三年来基本由中国光伏业发展,成为

挑战黑硅产能极限 微导开发出最高产能RIE设备来源:无锡先导智能装备股份有限公司 发布时间:2017-11-03 17:19:48

%。到目前为止添加剂技术、干法黑硅技术和湿法黑硅技术等都可以解决金刚线切割的多晶硅片反射率高,困难的问题。多晶添加剂技术不改变原有设备,增加专用添加剂,可以将金刚线多晶硅片反射率降低至接近常规

40家!协鑫、天合、十一、正泰、上能、古瑞瓦特、大海、隆基……亮相无锡新能源展(特色展位、技术新品、展台盛况,一文尽现)来源:光伏头条 发布时间:2017-11-02 13:09:06

声光电等多种互动形式展示协鑫在能源领域的创新及其应用。 保利协鑫发布单面黑硅片新品——鑫多晶TS+系列单面黑硅片新产品。该类型硅片在保利协鑫最新研发的“鑫绒面”亚微米多孔技术基础上

2017光伏大会圆满落幕 看看这些参展商都发布了什么新产品?来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2017-10-25 09:06:42

、多晶黑硅片、R3高效多晶硅多晶硅是光伏行业的源头,荣德在光伏大会期间,介绍了其金刚线高效多晶硅片、多晶黑硅片以及R3高效多晶硅。金刚线高效多晶硅具有转化效率高、表面质量佳、低硅耗、质量稳定

继PERC之后 谁将是下一个光伏技术“领跑者”?来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2017-10-24 23:59:59

是通过增加电池的光吸收方面,比如光陷阱结构,就是通过化学刻蚀或等手段来增加电池的光吸收效率;第二是通过有效分离光生载流子,降低载流子复合来实现电池效率的提高,常用的手段为增加背场、增加钝化层、改善衬底
,相关材料成本依然较高,所以在保证高效的情况下,HIT电池大规模的量产还需要进一步的突破和发展。3、双面N型电池N型电池是未来高效电池的发展方向,目前研究的N型单晶高效电池主要有:PERT电池

N型PERT双面电池产业化关键技术来源:摩尔光伏 发布时间:2017-10-23 13:36:29

双面电池。双面太阳电池是指硅片的正面和反面都可以接受光照并能产生光生电压和电流的太阳电池,这种电池可以用P型硅片制造,也可以用N型硅片制造。nPERT双面电池基本工艺流程为:(1)双面(2)上表面扩散硼

帝科推出DK92正银技术平台,率先兼容双面氧化铝镀膜工艺 引领PERC技术多元化发展来源:索比光伏网 发布时间:2017-10-18 13:40:05

120Ohm/sq以上,实现20.2%以上的转换效率 - 提供针对PERC双面氧化铝镀膜工艺的特殊版本 - 同时提供单次印刷、分步印刷、两次印刷和无网结印刷版本 - 兼容基于多晶金刚线添加剂和黑硅

【2017PVCEC】N型电池独具优势 度电成本驱动光伏产业化技术发展——晋能总经理杨立友来源:能见 发布时间:2017-10-17 15:27:44

的多晶多了20%,比多晶的发电量会增长40%。到量产目前的难点,一个是硅片,现在相对来说还不是太多,但是已经可以看到硅片的质量的一些要求。然后对后的硅片表面结晶度,比其他电池要高很多,对后面
块的话,降低的幅度我们估计降低40%还是比较靠谱。TCO的靶材现在成本也是比较高,我们预计30%的空间。添加剂,现在国外的供应商成本非常非常高,其实它本身的成本根本不高,这个我们估计有50%降低的

超级干货 | 单面抛光在PERC,电池中应用的研究!来源:光伏盒子 发布时间:2017-10-16 18:17:59

时间为5 min;处理后以去离子水清洗并烘干;在硅片背面沉积氮化硅薄膜作为掩膜,沉积设备为Meyer Burger 公司的板式PECVD,沉积压强为0.15 mbar,沉积温度为450 ℃,微波功率
为3500 W,硅烷气流量为190 sccm,沉积时间为2 min;将该批硅片进行扩散和刻蚀清洗工艺,刻蚀清洗工序单面减重0.13 g,记为a组( 单面硅片),掩膜在设备酸洗槽以及刻清设备中被