厚膜银浆
掺杂非晶硅可以减小寄生吸收、增加横向导电性、减小带隙失配、减小对低温银浆温度的限制;而对于TOPCon电池，通过使用TCO导电膜，可以减低对多晶硅电导特性的要求，减薄多晶硅层的厚度，并且可以使用原位
TOPCon目前主要面临的几个问题，一是TOPCon中制备过厚的多晶硅膜层难度比较大，且自吸收现象比较严重;二是多晶硅层较薄(如200nm甚至更薄)则容易导致高温浆料烧穿，由于目前国内都只是做单面
湿法氧化出一层1.4 nm左右的极薄氧化硅层，并利用PECVD在氧化层表面沉积一层20 nm厚的磷掺杂的微晶非晶混合Si薄膜。钝化性能需通过后续退火过程激活，Si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化，由微晶
Al2O3/SiNx叠层钝化膜，利用场钝化和化学钝化对背表面实现了优异的钝化效果，提高了电池Voc。目前PERC太阳能电池的Voc可以接近690 mV，但仍难以超过700 mV。由于Al2O3
印刷前需对特定区域减反膜进行腐蚀处理。腐蚀后氮化硅减反膜的厚度也是至关重要的参数，表2 为氮化硅减反膜腐蚀前及腐蚀后腐蚀区域的膜厚对比。 从表2 可以看出，腐蚀后的氮化硅减反膜厚度已满足目前银浆
市场内首屈一指的开发商和制造商，同时也是光伏行业中一流的服务供应商和解决方案供应商。40多年来，贺利氏与各行各业的知名企业展开合作，在厚膜材料技术领域的多样化创新和研发以及新产品开发方面建立了良好的
客户的技术需求。预计今年9月，实验室人员将配备到位，并正式投入运营。我们将与客户密切合作，进一步优化现有金属化银浆，缩短客户产品的上市周期。同时，贺利氏光伏还将加强新加坡技术中心的研发能力，该中心专注于
) 特点：阻挡层用氧化硅或氮化硅，刻蚀浆料主要利用释放的氟化氢来刻蚀。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻挡膜，一次性扩散。困难在，浆料的印刷性能，扩散均匀性，印刷对齐。 三、 直接印刷掩膜层
栅线电池是完全可以实现的，尤其是与HIT电池结合，利用其TCO膜的导电性，全细栅涉及，降低电池片银浆用量，实现降本。
观点2:无主栅电池或多主栅电池叠瓦焊接设备上可以实现，胶的粘接可靠性还要
时隐裂集中出现?
观点1:叠瓦组件在结构上就有非常好的应对机械在和的能力。
问题23：双玻封装时同样玻璃方案，叠瓦比常规平均厚多少?
观点1:无论双玻和单玻，叠瓦的组件厚度变化不大。由于
，银浆占整个电池成本的10%～15%，而异质结电池为双面电池，银浆消耗量几乎是传统单面电池的2倍，因此，寻找价格低廉、与异质结电池匹配的金属化替代材料，探究易于操作的金属化技术成为降低高效异质结电池
成本的又一条重要途径。
2异质结电池金属化方法
异质结电池的生产工艺主要包括非晶硅层沉积、导电膜沉积、表面金属化、低温烧结等过程。表面金属化则是异质结电池制备过程中最为关键的环节之一，不但要保证与硅
工艺制作正面电极，再通过快速烧结工艺使电极与硅基底形成良好的欧姆接触。电子浆料是制造厚膜元件的基础材料，是一种由固体粉末和有机溶剂经过三辊轧制混合均匀的膏状物，在现代电子科技业运用非常广泛。晶硅太阳电池
/□;所用网版为孔径37m，线径18m，纱厚28m，膜厚15m，电极细栅开口45m，67线;实验中使用印刷机为Baccini手动印刷机，印刷速度为240mm/s，回料速度为600mm/s;使用烧结炉为
之外，还应当具备如下几条要素：(1)低活性，减少玻璃粉与钝化膜的反应，避免银浆与硅片接触部分形成大量复合中心，提高电池片开路电压;(2)较宽的工艺窗口，适应低温烧结工艺;(3)优秀的附着力，及老化附着力
的不同而异。因此，钝化膜沉积设备和膜开口设备(既可以使用激光也可以运用化学蚀刻)都需要在传统的电池生产线上额外增加加工设备。对于较少应用的激光边缘隔绝处理工艺生产线，需要增加一个化学湿式工作台进行背面
构造，其特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT
