刻蚀

今天，应用材料公司宣布推出全新的Applied Centura Avatar刻蚀系统。该系统主要针对高深宽比刻蚀应用，如制造新兴的三维NAND存储结构。NAND闪存市场在过去的十年中一直呈指数式增长
结构中，源和漏位于顶端，存储单元被垂直叠放，而连接线位于底端。这意味着数十亿个触点必须被连接，极高的深宽比已成必然，刻蚀工艺将面临全新挑战，而且可以说是迄今遇到的最复杂的挑战（如图2所示）。　　图1.

2012 年 6 月 28 日，应用材料公司推出了 Applied CenturaAvatar 电介质 刻蚀 系统，提升了尖端刻蚀技术。该突破性系统能够解决三维 存储 结构制造过程中所面临的最严峻的
挑战，提供未来数据密集型移动终端所需的高密度万亿比特存储能力。 图：Applied CenturaAvatar刻蚀系统 应用材料公司副总裁兼刻蚀事业部总经理 Prabu

暗示，窥探自然的语汇。这白色的亮点就是石英，主要成分是二氧化硅SiO2。二氧化硅，通过冶炼获得硅粉，再经一系列化学的、物理的提纯工艺就可生成高纯度多晶硅硅锭。硅锭经过切片、刻蚀、清洗、丝网印刷、测试等

薄膜的厚度。然后把样品与电池结构上已蒸发的CdCl2薄层在空气氛围中进行热处理，接着在溴甲醇溶液中刻蚀。在真空室中用连续热蒸发Cu和Au制备Cu:Au背接触。最后在Cu/Au合金上刷银浆作为背电极
增加，CdTe表面在溴甲醇溶液中刻蚀后更为严重，而对于5-m厚CdTe太阳能电池来说，漏电流仅稍微增加，如图3(b)所示。化学刻蚀期间，较薄的CdTe太阳能电池中产生分流路径的可能性比在较厚的电池

)。聚合物(黄色粉末)，从而大大降低了a-Si：H薄膜的质量。此外，当气压过高时，氢等离子体的刻蚀变得更加活跃，使得SiH2结构的基团增多，SiH2基团的增多意味着有更多的晶界和微孔，它们都是类似于
效果。高氢稀释度下少子寿命降低的原因主要与外延硅的生长有关，同时氢含量越高，对硅表面的离子损伤越大，表面态密度越大，载流子复合越剧烈。适量的氢刻蚀，可以断裂弱的Si-H键和不稳定的Si-Si键，从而

太阳能超白压延玻璃生产线的公司之一。同时，与丹麦 Sunarc 公司签订了《技术许可协议》后，裕华新材公司成长后劲更加强劲。通过 Sunarc 公司授权，裕华新材得到使用其溶液刻蚀法镀膜技术的许可

(以下简称中航租赁)签订了《融资租赁合同》，合同约定鑫辉太阳能将制绒、清洗设备、烧结炉、单线印刷线、硅片减反射膜制造设备、回探针电阻测量仪、等离子刻蚀机、寿命电阻率测试仪、激光椭扁仪、组件测试仪等以售后

。近年来，先后成功自主研发了清洗机、扩散炉、PECVD、刻蚀机、高低温烧结炉、单晶炉、铸锭炉等太阳能光伏关键装备，实现了从单一装备发展到单台装备与工艺结合，又从整线装备发展到整线装备与工艺结合的整线交
太阳能光伏专用装备--刻蚀机与扩散炉，中国电科48所正式进军光伏领域，标志着我国太阳能电池专用装备进入了自主研发阶段;2006年，在国家高性能晶体硅太阳能电池生产成套技术研究项目的支持下，中国电科48所建

工作的核心位置，大力加强原始创新、集成创新和在引进先进技术基础上的消化、吸收、再创新，努力在若干重要产品领域掌握核心技术。近年来，先后成功自主研发了清洗机、扩散炉、PECVD、刻蚀机、高低温烧结炉
国内80%的市场份额，得到业界的广泛认可。2001年，中国电科48所与无锡尚德太阳能科技股份有限公司合作开发太阳能光伏专用装备--刻蚀机与扩散炉，中国电科48所正式进军光伏领域，标志着我国太阳能电池专用

约定鑫辉太阳能将制绒、清洗设备、烧结炉、单线印刷线、硅片减反射膜制造设备、回探针电阻测量仪、等离子刻蚀机、寿命电阻率测试仪、激光椭扁仪、组件测试仪等以售后回租方式向中航租赁融资人民币 12,646.74