2012 年 6 月 28 日，应用材料公司推出了 Applied Centura®Avatar™ 电介质 刻蚀 系统，提升了尖端刻蚀技术。该突破性系统能够解决三维 存储 结构制造过程中所面临的最严峻的挑战，提供未来数据密集型移动终端所需的高密度万亿比特存储能力。
图：Applied Centura®Avatar™刻蚀系统
应用材料公司副总裁兼刻蚀事业部总经理 Prabu Raja 博士表示：“借助 Avatar 系统，我们能够充分利用自身在等离子技术领域的领先优势，应对三维存储结构制造过程中前所未有的挑战。制造这些存储结构需要对复杂的多重叠层材料进行深度刻蚀。客户对于这款新系统所具备的 突破性功能非常感兴趣。我们已经向多家客户交付了 30 多个针对关键应用的腔体，有些被用于未来存储芯片的试生产。”
Avatar 系统经过全新设计，能够刻蚀三维NAND 存储阵列标志性的高深宽比结构。这一令人兴奋的新型闪存 器件有多达 64 层的存储单元垂直重叠于其中，从而在极小区域内获得超高的比特密度 。
该系统能以高达 80:1 的深宽比，在复杂的薄膜叠层中刻蚀通孔和沟槽。此外，这款系统还同时实现了精确刻蚀渐变深度差异很大的结构的目标——这对于制造将每层存储单元与外界相连接的“阶梯式”接触结构至关重要。
Avatar 系统是应用材料公司将在 SEMICON West 2012 展会( 7 月 10-12 日)上展示的多个全新芯片制造技术之一。请登陆 www.appliedmaterials.com/semicon-west-2012 了解应用材料公司在该展会之前及期间的更多信息。
图：Applied Centura®Avatar™刻蚀系统
Avatar 系统经过全新设计，能够刻蚀三维NAND 存储阵列标志性的高深宽比结构。这一令人兴奋的新型闪存 器件有多达 64 层的存储单元垂直重叠于其中，从而在极小区域内获得超高的比特密度 。
该系统能以高达 80:1 的深宽比，在复杂的薄膜叠层中刻蚀通孔和沟槽。此外，这款系统还同时实现了精确刻蚀渐变深度差异很大的结构的目标——这对于制造将每层存储单元与外界相连接的“阶梯式”接触结构至关重要。
Avatar 系统是应用材料公司将在 SEMICON West 2012 展会( 7 月 10-12 日)上展示的多个全新芯片制造技术之一。请登陆 www.appliedmaterials.com/semicon-west-2012 了解应用材料公司在该展会之前及期间的更多信息。
索比光伏网 https://news.solarbe.com/201206/28/26833.html
