刻蚀

纳米技术生产的黑硅太阳能电池效率达到18.2％。NREL据称这是该技术的巨大突破，为降低太阳能成本迈进了一大步。为制作黑硅材料，NREL首先在硅片表面制备银纳米颗粒，然后在通过湿法刻蚀制作特殊的多孔表面

机，硅片自动分选机等关键生产设备。支持多槽制绒清洗设备、全自动平板式等离子体增强化学汽相沉积（PECVD）、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、全自动印刷机、快速烧结炉等晶硅太阳能电池片生产线设备和

。Singulus致力于发射极和背面钝化电池(PERC)和异质结晶硅电池背面涂层工艺的开发。新型LINEA II刻蚀机/抛光机是为PERC背面钝化之前的背面湿法化学抛光而特别开发的。另一个PERC电池解决方案是
PERCEUS名下产品，公司表示，这个解决方案的开发是对现有电池生产线的升级，当与LINEA II刻蚀机/抛光机结合时，电池效率高达20%。Singulus还针对晶硅电池推出了新型真空蒸镀机，据称可用

Singulus Technologies近日发布了几款新的工艺和机械工具，主要应用于硅太阳能电池和薄膜太阳能电池生产。这款新的Linea II抛光机/刻蚀机主要为钝化发射极与背接触电池（PERC

工艺是无接触喷印，湿法刻蚀工艺和镀膜技术。SCHMID集团的TinPad技术能够实现电池背部100%的无银化。 随后，多主栅工艺采用红外线焊接结束，将15根导线连接到临近电池的背面，并同

）和40m副栅线制作技术（HiMeT）配合使用可以取得最好的效果。生产这种结构的太阳能电池。其主要工艺是无接触喷印，湿法刻蚀工艺和镀膜技术。SCHMID集团的TinPad技术能够实现电池背部100%的

Guillevin等人发表的论文中所述。n-pasha电池是在6英寸半方n型Cz硅片上制作的。加工的第一步是用碱性刻蚀将硅片制绒使其具有随机形状的棱锥。用Tempress的工业管式炉形成硼发射极和磷BSF

氧化铝层。在与第一次阳极氧化工艺相同的条件下进行第二次阳极氧化步骤，不过时间短一些。留下的Al箔和底部的阻挡层分别在基于CuSO4溶液和6wt%H3PO4中刻蚀。得到了通孔AAO膜，接着转移到玻璃衬底上
。用电子束蒸发通过AAO模板制备Ag纳米点。然后用3M NaOH溶液将AAO模板刻蚀掉，在玻璃衬底表面留下Ag纳米微粒。接着，用等离子增强化学气相淀积(PECVD)在Ag图形玻璃衬底上生长a-Si:H

索比光伏网讯:产业化的周边PN结去除方式是等离子体干法刻蚀，该方法技术成熟、产量大，但存在过刻、钻刻及不均匀的现象，不仅影响电池的转换效率，而且导致电池片蹦边、色差与缺角等不良率上升。激光开槽隔离
技术根据PN结深度而在硅片边缘开一物理隔离槽，但与国外情况相反，据国内使用情况来看电池效率反而不及等离子体刻蚀技术，因此该方法有待进一步研究。目前行业出现的另外一种技术化学腐蚀去边与背面腐蚀抛光技术集

反射率一般仍在11%以上)，并产生大量的化学废液和酸碱气体，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再
利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒面非常完美，表面反射率最低可降至0.4%，单多晶技术统一，生产工艺与设备都可移植于IC工业，如果生产成本能够进一步降低可望取代化学腐蚀方法而