首页 资讯信息 研究咨询 服务应用 展会会议 视频图片 期刊专栏 新媒体
关闭
关闭

【光伏技术】高效晶体硅电池技术-去边技术

发表于:2012-09-06 13:50:05    

索比光伏网讯:产业化的周边PN结去除方式是等离子体干法刻蚀,该方法技术成熟、产量大,但存在过刻、钻刻及不均匀的现象,不仅影响电池的转换效率,而且导致电池片蹦边、色差与缺角等不良率上升。激光开槽隔离技术根据PN结深度而在硅片边缘开一物理隔离槽,但与国外情况相反,据国内使用情况来看电池效率反而不及等离子体刻蚀技术,因此该方法有待进一步研究。

目前行业出现的另外一种技术——化学腐蚀去边与背面腐蚀抛光技术集刻蚀与去PSG一体,背面绒面的抛光极大降低了入射光的透射损失、提高电池红光响应。该方法工艺简单、易于实现inline自动化生产,不存在“钻刻”与刻蚀不均匀现象,工艺相对稳定,因此尽管配套设备昂贵但仍引起业内广泛关注。(作者:和海一样的新能源)

责任编辑:太阳能
特别声明:
索比光伏网所转载其他网站内容,出于传递更多信息而非盈利之目的,同时并不代表赞成其观点或证实其描述,内容仅供参考。版权归原作者所有,若有侵权,请联系我们删除。

相关阅读

光伏行业最新动态,请关注索比光伏网微信公众号:solarbe2005

投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐:news@solarbe.com

扫码关注

2022年中国户用光伏品牌大会
2022年中国户用光伏品牌大会

2022年9月27日

浙江宁波

2022第二届华中光伏论坛
2022第二届华中光伏论坛

2022年9月22日

武汉洪山宾馆

投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐 news@solarbe.com 商务合作联系:010-68000822 media@solarbe.com 紧急或投诉:13811582057, 13811958157
版权所有 © 2005-2023 索比光伏网  京ICP备10028102号-1 电信与信息服务业务许可证:京ICP证120154号
地址:北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路天通泰科技金融谷 C座 16层 邮编:102600