光退火

单晶和多晶电池片光谱效应QE的差异。电池片封装成组件后的QE曲线可以发现在420nm处开始吸收太阳光，在350nm以内的紫外区域入射光全部被封装材料玻璃、EVA等吸收，从而导致可以产生光生电流的光子数目
使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，从而增加了硼-氧对的数量，硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤

寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。 　　多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走
多晶电池片光谱效应QE的差异。 电池片封装成组件后的QE曲线可以发现在420nm处开始吸收太阳光，在350nm以内的紫外区域入射光全部被封装材料玻璃、EVA等吸收，从而导致可以产生光生电流的光子数目减少

本身简单粗暴的工艺使得它更容易大规模扩张，但是却无法将位错缺陷和杂质密度控制在较低水平，这些要素无一不在影响着多晶的少数载流子寿命。组件功率衰减分为初始光衰和长期衰减两类，单晶综合性能优异在组件封装
材料可靠的前提下，影响单晶组件和多晶组件可靠性差异的关键因素就是功率衰减指标。它分为初始光衰和长期衰减两类。人类最早从1970年代前后研究组件衰减问题，经过数十年探索发现，单晶和多晶在这两类衰减上表

粗暴的工艺使得它更容易大规模扩张，但是却无法将位错缺陷和杂质密度控制在较低水平，这些要素无一不在影响着多晶的少数载流子寿命。组件功率衰减分为初始光衰和长期衰减两类，单晶综合性能优异在组件封装材料可靠的
前提下，影响单晶组件和多晶组件可靠性差异的关键因素就是功率衰减指标。它分为初始光衰和长期衰减两类。人类最早从1970年代前后研究组件衰减问题，经过数十年探索发现，单晶和多晶在这两类衰减上表现有很大

正面受光发电之外，反面可通过漫射来发电，提升光伏电池转换效率)，还有弱光区域响应佳、温度系数低、衰减低等特点，使得该类电池去年开始盛行。N型单晶电池成本正在下降既然有如此众多的优势，为何N型单晶电池
、并配上退火、清洗及氧化等工艺后，也可以进一步降低成本，其每瓦制造价格已向P型电池逐渐靠拢。中来股份技术总监孙玉海表示，更重要的是，由于转换效率比P型电池更高，N型有不少的拥趸者。孙玉海举例说，同样

的PERC电池结构图。2.2、少子寿命将镀膜后的硅片放置于烧结炉上进行1min的快速退火，激活Al2O3钝化活性后进行少子寿命测试。少子寿命测试采用WCT120少子寿命测试仪，经退火处理的硅片平均少子
退火来降低激光的损伤。激光烧结工艺：将硅片放入1%的弱碱溶液1min，再将硅片放入退火炉中，在500℃下退火10min。烧蚀接触采用线接触的形式，比点接触有更快的加工速度。通常开模比例控制在6%～10

等。PERT电池根据其发射结的位置可分为正结型（p+nn+）和背结型（n+np+），根据其受光面不同分为单面受光型和双面受光型。PERL电池根据其受光面不同，也可分为单面受光型和双面受光型。如图5所示

工艺进行了改进及优化，生产只需制绒、硼扩散、清洗、磷注入、退火、镀膜、正银背银印刷及烧结几道流程，整个工艺可控同时容易升级。量产出来的双面组件可以做到零初始光衰，具有更好的弱光效应、更低温度系数及更强抗
，高功率双面电池组件可显著提升单位面积的发电功率和发电量。该技术与此前英利公司采用双面受光型PERT 结构的PANDA 电池结构有相似之处，但采用了独特新颖的工艺技术路线，电池双面发电的设计，可同时