光退火

常规B-O对原因外，还有仍在研究中的未知因素，可能与多晶硅中更高的金属杂质含量有关。图4 吸杂对多晶PERC衰减的作用图5退火对PERC电池光衰的作用总体来说：单晶PERC电池的衰减高于单晶常规电池，其
掺杂、激光退火等，如激光掺杂磷技术，以扩散后的PSG层为磷源，利用激光可选择性加热的特性，在电池正表面电极位置进行磷的二次掺杂，形成选择性重掺的n++层。双面PERC技术图2单面PERC电池结构图3双面PERC

太阳能电池材料的有力竞争者。然而，有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池走出实验室实现产业化和商业化仍存在一些问题，如提升高效器件的稳定性、降低迟滞效应及实现大面积制备等。目前广泛报道的快速退火方法制备的钙钛矿
钛矿薄膜的略入射XRD谱(X光入射角度0.2度)。(b)CH3NH3PbI3-xClx薄膜二维GI-XRD谱；(c)优化薄膜后处理条件后测量的二维GI-XRD谱。基于(d) r-和(e) g-钙钛矿薄膜的反式P-i-N结构器件J-V曲线。(f)和(g)为正式N-i-P结构器件J-V曲线。

扩散死层。通过掩膜可以形成选择性的离子注入掺杂。离子注入后，需要进行一步高温退火过程来将杂质激活并推进到硅片内部，同时修复由于高能离子注入所引起的硅片表面晶格损伤。所以，离子注入技术的量产化导入的
受前表面的影响更大，因为大部分的光生载流子在入射面产生，而这些载流子需要从前表面流动到电池背面直到接触电极，因此，需要更好的表面钝化来减少载流子的复合。为了降低载流子的复合，需要对电池表面进行钝化

需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶
波段量子效率高，其电流温度系数略高;另一方面PERC电池的开路电压更高，电压温度系数(绝对值)更低。综合来看，PERC电池的功率温度系数(绝对值)低于多晶和常规单晶。 (3)初始光衰 晶硅组件都

杂质、缺陷会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶PERC组件可以达到2%以下的首年功率衰减。目前
；另一方面PERC电池的开路电压更高，电压温度系数（绝对值）更低。综合来看，PERC电池的功率温度系数（绝对值）低于多晶和常规单晶。（3）初始光衰晶硅组件都存在光致衰减（LID）问题（从组件厂家的质保承诺

会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶PERC组件可以达到2%以下的首年功率衰减。目前，在PERC
；另一方面PERC电池的开路电压更高，电压温度系数（绝对值）更低。综合来看，PERC电池的功率温度系数（绝对值）低于多晶和常规单晶。（3）初始光衰晶硅组件都存在光致衰减（LID）问题（从组件厂家的质保承诺来看

影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶PERC组件可以达到2%以下的首年功率衰减。目前，在PERC电池技术方面
的开路电压更高，电压温度系数(绝对值)更低。综合来看，PERC电池的功率温度系数(绝对值)低于多晶和常规单晶。(3)初始光衰晶硅组件都存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减

氧原子混杂，替位硼和间隙氧在光照下激发形成较深能级缺陷，引起载流子复合和电池性能衰退。但是，这种衰退在退火作用下是可以恢复的。太阳能电池的功率在4个月或更长时间（取决于日照强度和时间）内会发生恢复，到
特殊的表面陷光处理，可以让多晶产品具有更高的光学利用率。再加上PERC背面钝化技术，多晶的转换效率还将进一步提升，性价比优势将会继续扩大。从目前来看多晶硅依然是光伏市场的第一选择。单晶硅与多晶硅如果

发生2%~3%的快速功率衰减，原因是晶体生长中使用硼作为掺杂剂，同时有较多的氧原子混杂，替位硼和间隙氧在光照下激发形成较深能级缺陷，引起载流子复合和电池性能衰退。但是，这种衰退在退火作用下是可以恢复的
的基础上再降低15%，配合黑硅表面制绒工艺，通过特殊的表面陷光处理，可以让多晶产品具有更高的光学利用率。再加上PERC背面钝化技术，多晶的转换效率还将进一步提升，性价比优势将会继续扩大。从目前