光退火

减少硅片的含氧量之外、也可改变掺杂剂，例如改采全掺镓或硼镓共掺。电池端则导入退火炉工艺，目前Centrotherm的re-generater机台最为风行；观察近期台湾厂商的导入状况，厂商普遍能将单晶PERC的光衰降至2%以内，效果相当显著。以上的方法会在厂商持续努力研发之下更加成熟。

的PN结，而PN结的内建电场被认为是分离光生载流子并让太阳能电池发电的动力。而其实太阳能电池并不一定必须要有明确的PN结。上世纪70年代，Martin Green教授就提出了无需扩散PN结的金属
传过背面，而电子可以传过，所以二者构成了电子传输层。通过在电池正反两面沉积选择性传输层，使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集然后从电池的一个表面流出，从而实现二者的分离。 松下异质结HIT电池是一种典型

效率，但其较高的光致衰减对效率的提升有负面影响。而在光照条件下进行低温退火，可以有效降低电池片的光衰率。其主要原理是光照条件下退火使得BO复合体失效。同时制备介质钝化膜引入的氢原子也可以促进BO复合体的失效

老化衰减是指在长期使用中出现的极缓慢的功率下降，产生的主要原因与电池缓慢衰减有关，也与封装材料的性能退化有关。其中紫外光的照射时导致组件主材性能退化的主要原因。紫外线的长期照射，使得EVA及背板（TPE
电流注人导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体，从而使少子寿命降低，但经过退火处理，少子寿命又可被恢复，其可能的反应为： 据文献报道，含有硼和氧的硅片经过光照后其少子寿命会出现不同程度的衰减，硅片中的硼、氧

老化衰减 老化衰减是指在长期使用中出现的极缓慢的功率下降，产生的主要原因与电池缓慢衰减有关，也与封装材料的性能退化有关。其中紫外光的照射时导致组件主材性能退化的主要原因。紫外线的长期照射，使得EVA及
的看法是光照或电流注人导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体，从而使少子寿命降低，但经过退火处理，少子寿命又可被恢复，其可能的反应为： 据文献报道，含有硼和氧的硅片经过光照后其少子寿命会出现不同程度的衰减

，而这一设计与我们传统认识中的通过扩散得到PN结的电池有根本的不同。虽然我们现在常见的电池有高温扩散得到的PN结，而PN结的内建电场被认为是分离光生载流子并让太阳能电池发电的动力。而其实太阳能电池
。在背面同样沉积本征非晶硅薄层和掺磷的n+非晶硅层，同样由于能带弯曲，空穴无法轻易传过背面，而电子可以传过，所以二者构成了电子传输层。通过在电池正反两面沉积选择性传输层，使得光生载流子只能在吸收材料

p-n结薄膜制作成低成本太阳能电池器件。该类低温原位方法制备的p-n结薄膜能有效提高光生载流子的分离，并抑制电子空穴复合。其具有操作简单、反应快捷且重复性好，产品易成膜、能耗低、环境友好、可大面积制备等
优势，同时克服了传统成膜过程中颗粒团聚、微观结构破坏、杂质引入、高温退火、机械稳定性差等问题。这为制造大面积、低成本及低能耗光电薄膜及器件提供了一种新的思路和可靠方法。

的无PID（电势诱导衰减）和无LID（光致衰退）效应保证了光伏组件更可靠和更长的使用寿命。表1总结了HJT太阳能电池和传统光伏技术相比所具有的优点。 2 HJT太阳能电池的核心制造设备
光面的TCO层对异质结电池起到至关重要作用，它不仅需要具有良好的电导率以更好地输出电池功率同时还需要具有良好的抗反射率及较低的吸收率以利于更多的光投射到下方的半导体层。在蚀刻方向为100的硅片上，具有

有以下特征：①在退火过程中，碱离子向玻璃表面移动；②表面容易与O2、SO2、H2O及HCL等反应；③表面强度低，容易产生Griffith裂纹；④在玻璃表面上容易进行离子交换；⑤表面上的玻璃态的Sio2
群。3.0发霉的识别和检查方法目测外观形貌法是最简洁可行的方法。即在集中的强光下，将试样放置在反射光和透射光中观察玻璃表面有无斑点和雾状物。这些斑点和雾状物用布或水擦不掉。出现上述现象的玻璃，表示试样

中出现的极缓慢的功率下降，产生的主要原因与电池缓慢衰减有关，也与封装材料的性能退化有关。其中紫外光的照射时导致组件主材性能退化的主要原因。紫外线的长期照射，使得EVA及背板（TPE结构）发生老化黄变现
氧复合体,从而使少子寿命降低，但经过退火处理，少子寿命又可被恢复，其可能的反应为：据文献报道，含有硼和氧的硅片经过光照后其少子寿命会出现不同程度的衰减，硅片中的硼、氧含量越大，在光照或电流注人条件下