1839年人类首次发现光伏效应已来,各类半导体材料的使用(Se,Si,CdS,CdTe)、生长工艺的完善(如CZ直拉法、FZ浮区生长法)、制备技术的进步(减反膜、栅线电极、选区发射等技术的应用)使得
主原料链及其附属的各配套产品、服务子行业。子产业链可细分为辅料链、装备链以及信息服务链,其市场规模已十分巨大。 图表18:光伏主原料链 表格6:光伏子产业链在行业投资规模方面,光伏产业投资已从
组件缺陷都是由于电池片及组件的生产工艺不合理及人为等外在因素造成的。晶体硅组件缺陷主要包括:隐裂(裂纹)、破片、黑心片、黑团片、黑斑片、履带片、断线、穿孔、边缘过刻、主栅线漏电、副栅线漏电、境界漏电
组件EL测试出现亮斑是什么原因?最初,组件亮斑较轻,但组件在安装运行一段时间后,亮斑加重,并且功率衰减严重。亮斑导致原因可能有以下几点:1,电池片虚焊,EL电池片主栅线位置会发亮;2,电池片本身结构
中利腾晖高层经过慎重讨论和研究,提出了研发四栅线电池组件的需求。在中利腾晖技术研发人员的共同努力下,高效单多晶四主栅电池组件系列在2013年初被研制成功。此次日本专利的授权,是公司技术创新和知识产权保护
隐裂的形状,可分为5类:树状裂纹、综合型裂纹、斜裂纹、平行于主栅线、垂直于栅线和贯穿整个电池片的裂纹。 图1:晶硅电池隐裂形状 2、隐裂对组件性能的影响 不同的隐裂,对电池片功能造成的影响是不一样
,可分为5类:树状裂纹、综合型裂纹、斜裂纹、平行于主栅线、垂直于栅线和贯穿整个电池片的裂纹。图1:晶硅电池隐裂形状2、隐裂对组件性能的影响不同的隐裂,对电池片功能造成的影响是不一样的。先来看一张电池片的
系统,成功将多晶背钝化电池转换效率提升至19.6%的水平。这款新的高效蓝宝石系列电池的设计还包括了四条主栅线以及低光致衰减(Light Induces Degradation, LID),在60片
年,荣获总装备部GaAs太阳电池首席专家称号
2004-2005,荣获获航天人才奖
2009-2010 荣获航天科技集团公司优秀专利发明人
2、主要贡献
中国空间主
电源----GaAs电池首要创始人,历时二十年从无到有建立GaAs电池实验室、中试线、生产线,电池转换效率从最初的10%提高到30%,达到国际先进水平,目前已全部替代硅太阳电池;
十五
,只有与高掺杂的硅才可以接触良好。由于TiO2没有很好的钝化功能,人们在当时并没有过多的考虑钝化。而且由于减反射层在金属电极之上,因此沉积的时候需要用模版遮挡主栅,以便后续的串焊。
虽然这一时期,在
ITO,蒸镀Ti/Pd/Ag叠层栅线,背面蒸银作为背面电极。该电池设计开路电压达到692.4mV,填充因子达到79.4%。由于退火温度的不同,这里沉积的非晶硅并未结晶为多晶硅,而是达到了类似薄膜硅电池中的
2015年9月21日,航天机电汽车股份有限公司(以下简称航天机电)宣布其完成太阳能电池和组件产线的全面升级,所有电池和组件产品从三栅升级为四栅。从即日起航天机电将向全球客户提供拥有四条主栅线的高效