之间的间距减小,从而横向电阻降低,同时不增加遮光面积。多主栅技术也是减小电阻损耗的主要方式。细栅线从一端到最近主栅的距离降低,可以减小总的细栅线电阻。采用多主栅的同时,主栅的宽度适当降低,从而不增加
如下: 1、EVA、玻璃、背板等原材料表面有异物造成。 2、助焊剂用量过多,在外界长时间遇到高温出现延主栅线脱层。 3、EVA原材料成分(例如乙烯和醋酸乙烯)不均导致不能在正常温度下溶解造成脱层
、EVA、玻璃、背板等原材料表面有异物造成。2、助焊剂用量过多,在外界长时间遇到高温出现延主栅线脱层。3、EVA原材料成分(例如乙烯和醋酸乙烯)不均导致不能在正常温度下溶解造成脱层。4、交联度不合格
细栅密栅电池技术。在不降低正面电极总的印刷浆料增重的前提下,将细栅线宽度降低,细栅线数目增加。细栅线数目增加意味着相邻栅线之间的间距减小,从而横向电阻降低,同时不增加遮光面积。多主栅技术也是减小
度降低,细栅线数目增加。细栅线数目增加意味着相邻栅线之间的间距减小,从而横向电阻降低,同时不增加遮光面积。多主栅技术也是减小电阻损耗的主要方式。细栅线从一端到最近主栅的距离降低,可以减小总的细栅线电阻
胶机、自动外观检测等升级接口。该串焊机是将检测完好的电池片经料盒上料分片后,通过CCD影像系统外观检测和坐标定位后与机器人坐标校正系统将电池片定位,与校直后的焊带交替定位,确保主栅线和焊带重合精度,并
倒角形状导致当封装到组件上,组件实际的有效接受太阳光的受光面积要小于方形多晶电池片的组件,再加上电池片上的栅线是不发电的,所以其占居的这部分面积也不能发挥效能。组件中单多晶有效发电面积利用率单晶组件
,而与单晶量产功率仅差1个档。量产技术:行业内率先实现四主栅技术的全面量产,并融合自主研发的低位错高纯度J硅片/低电阻焊接技术/IQE匹配封装技术,助力晶科多晶功率行业领先。发电性能 vs 行业单晶:晶科
到组件上,组件实际的有效接受太阳光的受光面积要小于方形多晶电池片的组件,再加上电池片上的栅线是不发电的,所以其占居的这部分面积也不能发挥效能。组件中单多晶有效发电面积利用率单晶组件有效发电面积的利用率较多
实现四主栅技术的全面量产,并融合自主研发的低位错高纯度J硅片/低电阻焊接技术/IQE匹配封装技术,助力晶科多晶功率行业领先。发电性能vs行业单晶:晶科量产多晶较行业量产单晶具有更低的电流,户外发电时线缆
刮条和板刮供实验,印刷参数可根据需要调节。丝网印刷的原理是通过刮条挤压特定图形的丝网弹性形变后将浆料渗透在需要印刷的材料上的一种印刷方式。常见的正极图形由主栅线和副栅线组成,栅线的主要作用是收集电流
条和板刮供实验,印刷参数可根据需要调节。丝网印刷的原理是通过刮条挤压特定图形的丝网弹性形变后将浆料渗透在需要印刷的材料上的一种印刷方式。常见的正极图形由主栅线和副栅线组成,栅线的主要作用是收集电流,虚