丝网印刷工艺

可以看到，厚厚的Al层通过丝网印刷工艺印刷在硅片背表面上，位于顶部的AI层与其下面的Si衬底没有直接的接触，因为它们被一层AI2O3/SiNx叠层(厚度太薄而无法在图中显示出来)所分开，只是通过一个碗
丝网印刷Ag栅线也同时在高温条件下穿透SiN与n 发射极直接接触。结果与讨论　　ALD和PECVD这两种工艺都能用于在硅片表面沉积氧化铝薄膜。实验结果显示在金属化之前背表面的复合速率可以被很好地控制在

金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。 PERC电池实验室制备采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术，而产业化PERC工艺采用了PECVD(或ALD)法钝化、激光开孔
、丝网印刷、烧结等技术。 图一 单面PERC电池结构 PERC电池的技术发展 自2015年PERC电池逐步市场化以来，截止2016年底，全球PERC产能约为13.4GW，产量达到8GW左右;预计

，中来N型双面TOPCon电池背面采用多晶硅隧穿电极接触结构，正反两面均由覆盖SiNx减反膜，金属化由丝网印刷完成，由于两面栅线结构都是常规的H型，因此TOPCon电池不仅正面可以吸收光，其背表面也能从
吸收散射光从而产生额外电力。 同时，通过采用离子注入技术整合整线工艺，简化工艺制程，提高良率，避免前后掺杂互相影响，最大化发挥N型结构的优势和效率潜力。 在中来股份之前，全球仅有韩国LG具有该技术

内容摘要 介绍了一种通过调整背钝化工艺改善多晶硅背钝化电池缺陷的方法。采用背钝化新型电池片工艺，在正常生产过程中EL会呈现有规律的区域发暗，严重影响电池片性能。本文通过优化PECVD工艺时间和退火

。预计2025年，单晶PERC电池可实现高达24%的转换效率，市场占有率将进一步提高。随着技术的进步，双面PERC工艺的成熟不仅能拓宽PERC电池的应用场景，而且可获得更高的发电增益。 从成本角度讲
，相比于PERC单面产品，PERC双面产品仅在电池的丝网印刷工序做了调整和优化，因此成本基本同PERC单面产品。相比于常规单/多晶以及PERC单晶，P型PERC双面组件可有效降低光伏电站的LCOE，以10

。 02硅基太阳电池用正银浆料 2.1 正银浆料在太阳电池中的作用 正银浆料是通过丝网印刷将银浆印刷在晶体硅片上，然后经过烘干和烧结工艺在硅片表面形成电极或电路。在光照条件下，硅片中的p-n
浆料发展的方向，为未来光伏技术的发展及正银浆料国产化提供了一定的思路 01不同硅基太阳电池技术 晶体硅太阳电池主要由经过不同工艺处理的硅基片、正面电极、铝背场及背面电极等组成。图1～图5 分别为不同

镀膜、丝网印刷、烧结等工序。每道工序过程中，由于存在人为因素、环境因素及机械不稳定等因素，造成硅片的一些缺陷及污染等，从而影响电池片的性能。因此黑斑片的出现，也许是硅片原材料的问题，也有可能是电池生产工艺
p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷过程中

)图 制造工艺对比 常见的晶硅电池(以P型单晶单面电池为例)的工艺主要包括六步：制绒与清洗、POCl3扩散、去磷硅玻璃(PSG)与边绝隔离、正面钝化减反射膜、丝网印刷和测试分选。 单面PERC

载流子复合，提高表面钝化效果; (3)增强电池短波光谱响应，提高短路电流和开路电压。 目前选择性发射极的主要实现工艺有氧化物掩膜法、丝网印刷硅墨水法、离子注入法和激光掺杂法等，其中激光PSG掺杂法由于
提高产量，节约生产成本。 3.2激光掺杂实验结果 用四探针对激光扫描的2020mm的样片进行方块电阻的测量，然后四组实验在相同的工艺条件下进行洗磷刻蚀、PECVD镀减反膜、丝网印刷电极和烧结

摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
了杂质引入的原因以及解决途径，从而显著减小了黑斑片产生的几率。 0 引言 晶硅电池组件广泛应用于光伏发电行业并形成相当大的产业规模，提高电池转换效率、减少电池的不合格率、优化生产工艺技术是降低