介绍了不同硅基太阳电池技术优势及其所用正面导电银浆的作用及组成，对比了国内外各正银浆料供应商针对不同电池技术所研发的正面银浆，分析了各种正银浆料产品的不同与现状，总结并展望了未来高效电池技术及正银浆料发展的方向，为未来光伏技术的发展及正银浆料国产化提供了一定的思路
01不同硅基太阳电池技术
晶体硅太阳电池主要由经过不同工艺处理的硅基片、正面电极、铝背场及背面电极等组成。图1～图5 分别为不同技术的太阳电池结构示意图。
图1 为常规太阳电池结构示意图，常规太阳电池的制备工艺简单、成本较低，但和其他硅基太阳电池技术相比，其转换效率较低。
PERC 太阳电池，即钝化发射极及背面太阳电池，结构如图2 所示。PERC 太阳电池与常规
太阳电池的主要区别在于[5]：1)PERC 太阳电池在背表面有钝化介质层( 多为Al2O3) 和保护层( 多为SiNx);2) 常规太阳电池铝背场与硅片完全接触，而PERC 太阳电池铝背场是通过激光开窗的空洞区域与硅片进行局部接触。
图3 为n 型晶体硅太阳电池结构示意图。n型晶体硅太阳电池较p 型晶体硅太阳电池具有少子寿命高、光致衰减小等优点，有更大的效率提升空间。同时，n 型晶体硅太阳电池还具有弱光响应好、温度系数低等优点。
IBC 太阳电池，即叉指背电极太阳电池，结构如图4 所示[6]。其优势主要体现在[7]：1) 转换效率高，正面无栅线使入射光子数量最大化;2)表面轻掺杂，增强了短波光谱响应;3) 基区和发射区的电极均制作在背面，可实现电池正、负极焊线的共面拼装，简化了光伏组件制作工艺流程，易实现自动化，提高生产效率。
图5 为HIT 太阳电池( 异质结太阳电池)结构示意图[8-9]。HIT 太阳电池以高质量超薄本征非晶硅层对晶体硅基底材料的两面进行钝化，降低表面复合损耗，提高了器件对光生载流子的收集能力，从而形成高效的新型晶体硅太阳电池。其主要优势有[10-11]：1) 采用低温技术，整个烧结工艺可在200 ℃左右完成，减少能耗，降低成本;2) 光电转换效率高;3) 稳定性好，没有形成B-O复合体而导致的光衰效应。
02硅基太阳电池用正银浆料
2.1
正银浆料在太阳电池中的作用
正银浆料是通过丝网印刷将银浆印刷在晶体硅片上，然后经过烘干和烧结工艺在硅片表面形成电极或电路。在光照条件下，硅片中的p-n 结产生的光生电子会朝着电池正面电极运动，空穴朝着背电极运动。如果电子运动到正面电极之前未被缺陷或杂质复合就会被电极收集，进而形成电流流至外电路。因此，这对浆料的要求较高，如形成良好的欧姆接触、低的接触电阻、良好的印刷性、良好的附着力等。浆料的质量和性能对晶体硅太阳电池的效率有重要影响，近年来晶体硅太阳电池转换效率的提高大部分要归功于浆料的改善，尤其是正银浆料。不过由于不同种类太阳电池的结构和制备工艺有差别，对正银浆料的性能要求也有所差异，主要包括高温型和低温型，分别应用于晶体硅太阳电池和HIT 太阳电池。
2.2
正银浆料的分类与组成
高温烧结型正银浆料一般由银粉、玻璃粉和有机载体等组成。由于银具有良好的导电性，且相对于其他贵金属而言价格便宜，因此在导电浆料中具有导电功能，银粉一般占浆料总量的80%～90%[4]。文献[12-15] 的研究结果表明，银粉粒径分布、微观形貌、含量等对太阳电池的转换效率有重要影响。目前银浆中广泛使用的是微米、亚微米级超细球形银粉，能与硅基片形成良好的欧姆接触，接触电阻较低，导电性良好。玻璃粉作为无机粘结剂，决定着导电浆料对太阳电池减反射膜的腐蚀穿透力和银膜电极与硅基体的结合力;以及溶解Ag，并输送到Ag/Si界面，保证Ag 与Si 形成良好的欧姆接触。玻璃粉一般占浆料总量的2%～10%[4]。文献[16-18]的研究发现，具有适当融化温度和润湿能力的玻璃粉，有助于降低银电极体电阻和接触电阻，增加焊接拉力，是获得最佳电池性能的关键因素之一。有机载体主要由有机溶剂、树脂、添加剂等组成，其作用是分散和润湿浆料中的银粉及玻璃粉，控制浆料的流变性能，使浆料具有良好的印刷性能，最后在烧结的过程中挥发出去，一般占浆料总量的5%～15%[19]。通过调节有机载体的组成和含量可以改变浆料的粘度、挥发性、触变性等性能，使浆料在印刷时具有较高的流动性，增大栅线高宽比，提高电池的转换效率。正银浆料这些组成成分的性能和比例会直接影响太阳电池的转换效率。
