汉阳大学（Hanyang University）、三星电子（Samsung Electronics）和浦项加速器实验室（Pohang Accelerator Laboratory）的研究人员报告了使用卤化锡钙钛矿作为p型沟道材料的薄膜晶体管开发的突破。他们的工作解决了与三维卤化锡钙钛矿的不稳定性和高缺陷密度相关的长期挑战，这些挑战迄今为止限制了其实际应用。
该团队专注于甲脒碘化锡 （FASnI₃），这是一种有前途的高性能晶体管通道候选者，并引入了一种涉及甲基氯化铵 （MACl） 的新策略。与其在卤化铅钙钛矿中的行为（MACl 仅充当临时稳定剂）不同，MACl 实际上掺入钙钛矿晶体结构中，用甲基铵 （MA） 和氯化物 （Cl） 取代了部分甲脒 （FA） 和碘化物 （I） 含量。这种成分调整导致晶格更稳定，从而产生具有卓越质量、提高结晶度和更大晶粒尺寸的薄膜。
因此，用 MACl 取代的 FASnI₃ 制造的晶体管表现出令人印象深刻的性能：
场效应孔迁移率超过 80 cm² V⁻¹ s⁻¹
开/关电流比高于 3 × 10⁹
阈值电压接近 0 V
高运行可靠性和无滞后运行
这些进展强调了协调阳离子和阴离子管理在稳定卤化锡钙钛矿材料方面的有效性，并将 MACl 取代的 FASnI₃ 定位为下一代高性能薄膜晶体管的极具前景的通道材料。
（消息来源：perovskite-info.com, Nature Electronics）
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