什么是孤岛效应、孤岛效应的危害、解决办法？一个视频告诉你！

2D/3D钙钛矿异质结构提升了钙钛矿太阳能电池的性能。本文南京航空航天大学赵晓明等人研究了芳香铵配体的吸电子强度对钙钛矿界面稳定性的影响。此外，组件在30天户外运行中保持稳定的功率输出，显示出其在实际应用中的潜力。研究亮点：配体吸电子能力调控界面稳定性：通过杂环中氧原子数量的增加，系统调控芳香铵配体的吸电子能力，最强吸电子配体ABDI有效抑制2D相形成并阻止离子互扩散。

南昌大学、武义大学和江西科技师范大学的研究人员报告说，在理解界面化学如何控制卤化物钙钛矿忆阻器的性能和稳定性方面向前迈进了一步。这些发现建立了一个合理的框架，将电极化学反应性与钙钛矿基忆阻器的功能稳定性联系起来。这些见解不仅加深了对离子-电极相互作用的理解，而且为基于工程钙钛矿界面的下一代节能计算架构开辟了道路。

将对称取代基掺入自组装单层中是抑制聚集的有效策略。鉴于此，2025年10月29日天津大学张飞在期刊《ACSEnergyLETTERS》发文“sp3HybridizedSelf-AssembledMonolayerswithAsymmetricStericEffectforPerovskiteSolarCells”。为了更好地平衡空间效应和π相互作用，本文通过sp3杂化9、10-dihydroacridine核心、4PADMeAC和4PADPhAC设计了两个具有不对称空间效应的SAM。因此，4PADPhAC薄膜表现出更高的均匀性和更高的电导率，从而产生具有更高结晶质量和更低捕集密度的钙钛矿薄膜。

将对称取代基掺入自组装单层中是抑制聚集的有效策略。然而，由此产生的对称空间效应通常会削弱π相互作用。为了更好地平衡空间效应和π相互作用，天津大学张飞等人通过sp3杂化9、10-dihydroacridine核心、4PADMeAC和4PADPhAC设计了两个具有不对称空间效应的SAM。与甲基相比，苯基产生更大的扭曲角和更有效的ππ相互作用，从而产生更小的胶束和更有效的空穴传输。

该斜坡架构短沟道FET展现出超过10的开关比、160mV/dec的亚阈值摆幅和3.70μA的导通电流。该成果以题为“ShortChannel2DFETwithSlopedArchitecture”发表于ACSAppliedMaterials&Interfaces期刊。截面透射电镜图像证实存在亚10纳米斜沟道区域及空气间隙。、、分别在Vg=1V、1V和6V时，斜坡沟道区域电子浓度的变化情况。通过插入h-BN隧穿层，有效缓解了短沟道效应，实现了高开关比和低亚阈值摆幅。

吉林大学的研究人员开发了一种添加剂策略来精确调节锡基钙钛矿的结晶，从而能够制造高性能场效应晶体管。锡基钙钛矿因其优异的电荷传输特性和低温溶液处理的潜力而被认为是有前途的半导体。这项工作强调了一种新方法，该方法将模板化生长与迟缓结晶相结合，以调节锡基钙钛矿薄膜的形成。通过提供对微观结构控制的新见解，该策略为高性能和稳定的锡基钙钛矿电子学铺平了道路。

更为重要的是，NTE行为与独特的热响应荧光性质相耦合：1呈现激发依赖的双发射，而2则表现出罕见的负热猝灭现象。该研究揭示了1D卤化铅杂化物中结构相变—热膨胀—光发射之间的深度耦合机制，首次阐明了链内振动诱导的单轴NTE效应，并展示了其可逆热响应荧光特性，为新型温度响应型光电子器件的设计提供了重要指导。荧光测试进一步揭示了热膨胀与发光的耦合特性。

“我深信通威是真心为我们着想我们对供应商非常忠诚当然同时，我会精挑细选而通威，是我们产品组合中占比最大的一个品牌因此通威也正是我们向合作伙伴推荐的选择”——SOLARKITCEOMarcellTóth“作为SOLARKIT的首席执行官早在七年前就为我母亲的家装上了第一套光伏系统到如今我有了自己的新家和系统真的很开心”该套房子特别选用了通威445W的N型双玻组件因为它非常耐用即使是暴雨、冰雹天气表现

金属卤化物钙钛矿在场效应晶体管中展现出巨大潜力，但N型铅基钙钛矿FETs仍面临高缺陷密度、离子迁移和重复性差等关键挑战。本研究国防科技大学陈晨和湖南大学胡袁源等人提出一种简单而有效的超薄TiO插层策略，从根本上改变了铅基钙钛矿FETs的制备方式。综合表征表明，TiO插层可增强前驱体润湿性、促进更大更均匀的晶粒形成、降低缺陷密度，并有效抑制非辐射复合和离子迁移。

光伏硅片产量排行核心数据解读头部效应稳固，但“大而不满”：中环、隆基作为行业双雄，年产能均达到绝对领先水平，8月产量也位居前二，地位稳固。这清晰地表明，硅片环节的结构性产能过剩已成为行业共识。索比咨询不对榜单内容的完整性、准确性或适用性作出任何形式的担保，亦不承担因依赖榜单信息所产生的任何直接或间接责任。

近日，韩国延世大学Kim等人提出一种简单、低温、可溶液加工且可扩展的策略，通过调整和利用Sn基钙钛矿的氧化现象来制造高性能增强型JFETs。该研究成果以题为“Revisitingtheroleofoxidationinstableandhigh-performancelead-freeperovskite-IGZOjunctionfield-effecttransistors”发表于NatureCommunications期刊。图文分析：钙钛矿b-JFET工作机理图1钙钛矿双极结型场效应晶体管的工作机制。实验细节通过低温溶液加工方法制备高性能增强型结型场效应晶体管。通过机械剥离去除Parylene-c层后，将PEASnI层暴露在60°C、约40%相对湿度的空气中进行120分钟的热处理，形成氧化表面层。