南昌大学、武义大学和江西科技师范大学的研究人员报告说，在理解界面化学如何控制卤化物钙钛矿忆阻器的性能和稳定性方面向前迈进了一步。
该研究系统地探讨了顶电极材料（包括 Au、Ag、Cu 和 Al）如何影响准 2D CsPbBr₃ 器件的电阻开关行为。通过引入一种新型双层电极结构，该团队成功地将电极的表面氧化与钙钛矿/电极界面的固有氧化还原过程解耦。这种突破性的方法可以清楚地区分决定设备性能的化学和物理贡献。
通过原位 X 射线衍射、光致发光和界面 X 射线光电子能谱的结合，研究人员揭示了电压驱动的溴离子迁移和电极依赖性反应决定了开关机制。由于界面活性有限，化学惰性Au电极没有表现出开关，而高反应性Al导致不可逆的降解。
相比之下，具有中等反应性的银电极和铜电极实现了具有双负差分电阻的稳定双极开关，凸显了平衡界面氧化还原反应的重要性。
这些发现建立了一个合理的框架，将电极化学反应性与钙钛矿基忆阻器的功能稳定性联系起来。随着忆阻器件继续引起神经形态和内存计算的关注，这项工作为实现卤化物钙钛矿器件的耐用性和可靠性能提供了实用的设计规则。这些见解不仅加深了对离子-电极相互作用的理解，而且为基于工程钙钛矿界面的下一代节能计算架构开辟了道路。
（消息来源：perovskite-info.com, Journal of Energy Chemistry）
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