下载丨碳化硅半导体材料与器件

本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著,主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括:SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管,以及siC BJT等。书中涉及SiC材料制备.外延生长、测试表征.器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试,以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时,重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果,以及今后的发展趋势。

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责任编辑：大禹