意法半导体（ST）开发出了用于配备太阳能电池功率调节器的MOSFET。耐压650V，有最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A）的“STY112N65M5”和最大导通电阻0.038Ω（漏极电流为66A）的“STW77N65M5”。
此前，太阳能电池功率调节器一直使用IGBT，但由于MOSFET的导通电阻不断降低，因此MOSFET正逐渐取代IGBT。
ST公司通过改进Super Junction结构，实现了耐压650V的低导通电阻。具体而言，将在n型底板垂直方向上伸长的p型区域的宽度和间隔减少一半，使单位面积的导通电阻由原来的约30mΩcm2降至约20mΩcm2。
为涉足太阳能电池市场，ST公司此次将主要面向笔记本电脑AC适配器和平板电视的该公司原产品的600V耐压设定为650V。耐压值是25℃下的测量结果。由于随着温度降低，耐压也降低，因此针对有时设置在室外的太阳能电池系统，提高了耐压。
STY112N65M5和STW77N65M5均将于2009年4月开始供应样品。
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基于锡的卤化物钙钛矿太阳能电池是一种极具前景的无铅替代方案，具有适宜的带隙和强光吸收特性，但其器件性能受制于显著的开路电压和填充因子损失。尽管相关研究已取得一定进展，但由于氧化化学、缺陷物理及界面能学的耦合作用，锡基钙钛矿太阳能电池的开路电压与填充因子性能仍难以媲美铅基钙钛矿太阳能电池。
针对这一痛点，山东大学高珂团队联合多所高校设计合成了一种铂配合物基非富勒烯受体，通过分子结构调控实现介电常数提升与激子-振动耦合抑制的双重目标。研究意义能量损失调控新策略：通过金属配合物受体同时调控介电常数和激子-振动耦合，为降低OSC电压损失提供了明确的分子设计思路。通过FTPS-EQE与电致发光谱进一步量化了各损失分量，证明PH1D通过提升介电常数和抑制激子-振动耦合，是实现低能量损失的关键。
钙钛矿/ 硅叠层太阳能电池是突破单结电池效率极限的核心技术路径，其中宽带隙（WBG）钙钛矿顶电池的性能直接决定叠层器件的最终表现。为匹配硅底电池的电流输出，宽带隙钙钛矿需引入高溴含量和Rb 合金化，但这会导致结晶动力学过快、相分离严重，形成δ-RbPbI₃等非钙钛矿副相，大幅降低器件效率与稳定性。
文章介绍低缺陷密度的高结晶度钙钛矿薄膜是实现高性能钙钛矿太阳能电池的先决条件。基于此，苏州大学彭军等人提出了一种简单的单溶剂真空闪蒸方法，用于使用简化的单溶剂前体系统制备高质量的钙钛矿薄膜。因此，通过该方法制造的PSC实现了26.93%的冠军功率转换效率，以及26.78%的认证PCE。此外，由于通过SSVF方法制备的钙钛矿薄膜的相稳定性增强，所得的PSC表现出优异的运行耐久性，在连续运行1000小时后仍能保持其初始效率的94%以上。
将CdTe与Se合金化形成CdSeTe半导体虽降低了复合，但CdSeTe中存在更复杂的缺陷态，会因载流子陷阱和陷阱限制的迁移率而限制效率进一步提升。
传统的有机空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中需经历复杂耗时的氧化过程，并伴随大量残留Li，影响器件稳定性。本文提出一种新型电解掺杂策略，通过调控电解过程实现可控掺杂并有效去除Li。文章亮点总结提出新型电解掺杂策略：利用电化学氧化还原反应实现有机半导体的可控掺杂，同时有效去除有害的Li残留，显著提升器件稳定性。
钙钛矿太阳能电池因严重的非辐射复合导致光电压损失，限制了器件整体性能。为解决这一关键问题，华东师范大学保秦烨等人开发了一种通过双位点锚定桥的策略，用于调控钙钛矿与PCBM电子传输层之间的异质界面。通过形成强双位点P—O—Pb共价键，实现强化且均匀的钝化，有效降低了钙钛矿表面缺陷密度。同时，重构了钙钛矿表面能带结构，使费米能级上移并增强电场，促进钙钛矿/PCBM界面的电子提取。
论文概览针对有机太阳能电池中活性层形貌调控与电荷传输性能难以协同优化的问题，该研究创新性地引入p型棒状液晶有机半导体Ph-BTBT-10作为多功能添加剂，应用于D18:L8-BO基二元体系。优化后的器件实现了20.3%的转换效率，短路电流密度提升至27.28mAcm-2，填充因子高达80.5%。结论展望该团队通过引入p型液晶半导体Ph-BTBT-10作为多功能添加剂，成功实现了活性层形貌与电荷动力学的协同优化，在D18:L8-BO二元体系中获得了20.3%的高效率。
固态添加剂是调控有机太阳能电池活性层形貌的有效策略，这与器件性能密切相关。然而，目前的固态添加剂主要侧重于形貌调控，其本身较弱的电学特性可能限制载流子迁移率等电学性能的提升。据我们所知，该性能是目前已报道的超过20%PCE的二元体系中的最高水平之一。本研究证明，p型液晶半导体可作为多功能添加剂，通过构建扩展的电荷传输网络，同时调控形貌并提升本征电学性能，为推进OSC性能提供了新的范式。
硅异质结太阳能电池对紫外线(UV)敏感。二次离子质谱(SIMS)分析表明，365nm 紫外线会解离 Si-H 键，导致氢原子从 a-Si:H/c-Si 界面迁移并形成亚稳态缺陷。东方日升全球光伏研究院联合东南大学，针对n型异质结电池和组件的紫外稳定性进行了深度机理性的研究，开发了低紫外损伤连续PECVD 工艺，通过优化i1钝化层氢含量达33%( a-Si0x:H)i2钝化层氢含量达25%(a-Si:H)，使载流子寿命提升至3.6ms，紫外诱导衰减(UVID)从1.59%降至 0.71%。
近日，中国光伏行业协会分享了年度报告中第七篇，我国钙钛矿太阳能电池发展情况我国钙钛矿太阳能电池发展情况
