爱尔兰XSiL公司在“2007年国际半导体设备与材料展览会（SEMICON West 2007）”（7月16日～20日，美国旧金山）举行的同时，上市硅晶圆专用的激光切割机。
前工序处理的300mm（直径）硅晶圆的厚度一般为775μm。而后工序处理的晶圆的厚度则不同，为了实现高密度封装，近来已减薄到了100μm以下。此次XSiL公司将上市激光切割机“X300D+”的特点是：可在设备内部连续进行此前分别处理的四道工序，实现稳定生产，降低成本的目标。
通过对切断侧壁进行干式蚀刻来提高裸片强度
【日经BP社报道】
四道工序分别为：（1）用以防止切割颗粒（碎屑）附着的涂装工序：在晶圆上涂布非离子类水溶性涂剂，以防止切割时产生的碎屑附着在元件上。（2）小损伤切割工序：使用高功率紫外线脉冲激光器（波长355nm）高速切割晶圆和DAF（Die Attach Film），以此来抑制芯片的缺损（崩边）及损伤。（3）洗净工序：经过涂装及切割后的晶圆利用设备下部的洗净装置进行纯水洗净，去除在最初工序中涂布的涂层及附着的碎屑。（4）无等离子的干蚀刻工序：使用面向超薄硅晶圆新开发的XeF2干蚀刻技术“MaxFlex”，对切割成片的裸片的切断侧壁进行蚀刻。通过减少给裸片造成的应力来提高强度。（特约撰稿人：桥本哲）
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