n型半导体
，电池片量产平均效率21.8%;多晶PERC已开始进入产业化阶段，电池片量产平均效率20.6%;P-型PERC电池已经开始向双面电池发展;N型、HIT等产业化应用速度超预期，MBB、双面技术发展速度加快
PERC工艺，电池片量产平均效率21.8%;多晶PERC已开始进入产业化阶段，电池片量产平均效率20.6%;P-型PERC电池已经开始向双面电池发展;N型、HIT等产业化应用速度超预期，MBB、双面
两者的优化，制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料。作为窗口层应用到HIT太阳电池中，对其厚度进行优化，在n型单晶硅衬底上制备出了效率为14.28%的HIT太阳电池。文献中何悦等利用热
容忍度高等等。 (1)少子寿命高。金属杂质是半导体中常见的杂质之一，而N型基底的抗杂质能力很强，对铁、铜等常见金属杂质的容忍度更高，也就是说在相同金属杂质污染的情况下，N型硅片的少子寿命要比P型硅片高
、无光衰、弱光性能好、温度系数良好、对金属杂质容忍度高等等。 少子寿命高 金属杂质是半导体中常见的杂质之一，而N型基底的抗杂质能力很强，对铁、铜等常见金属杂质的容忍度更高，也就是说在相同金属
不满足质量期望的工艺参数进行局部调整,实现工艺参数的优化。
1PECVD沉积氮化硅薄膜的试验方案
1.1PECVD系统反应室的结构
本试验采用PD-200N型等离子体增强化学气相沉积设备,其
薄膜厚度和折射率的影响
实验采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜,使用PD-220N型镀膜机,源气体采用硅烷和氨气,基片采用单面抛光的硅片。由于本实验是3因素(射频功率A、沉积温度B
，公司就具有N型单晶硅光伏电池的两种技术路线异质结和背电极。
在HIT之外，国电光伏也曾是全球较大的太阳能EPC总承包公司，具备较强的市场影响力和品牌知名度。相关资料显示，国电光伏具有的资质证书
事项，但基于公司认为本次交易有利于公司抓住太阳能电池用单晶硅材料、高效电池组件、半导体材料高速发展的历史机遇的判断，中环股份还是决定进一步修改、补充、完善发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易方案及相关
将收敛到一个不变的值上，这个值即为最佳栅线设计。
2栅线设计优化实例
设计一个边长为125mm、对角为165mm的n+p型单晶硅太阳电池的上电极。在这里把4个角近似为直角，栅线距离硅片边缘1mm
大面积功率输出的单体太阳能电池尤为重要。
1栅线设计原理
与上电极有关的功率损失机理包括由电池顶部扩散层的横向电流所引起的损耗、各金属线的串联电阻以及这些金属线与半导体之间的接触电阻引起的损耗。另外
情况如图2 所示。 在文献和内可以找到求取S 的公式，通过式(6)~式(14)来算出。 式中， ns 和ps 代表n 型和p 型结构下硅表面自由电荷的载流子密度;n 为
，可有效预防热斑效应;此外，双玻设计使得该组件的机械性能优异，可应对严苛的环境。 NO.3中来N型超级领牌者产品 中来的此款组件产品为N型+双面技术的叠加，号称为双面王者。相对于P型双面组件
