CTM

电池片切半，使电池工作电流减半，明显降低焊带上的电学损失，提高组件CTM： 半片组件电池间空隙增大，照到背板经玻璃反射到电池的光略有增加;电池片电流越高，使用半片技术带来的价值越大。 2

%)。在组件层面，电池效率的损失则可以通过电池组件(CTM)比率降低10%完全补偿回来。硅片厚度降低到150m带来的总体平均收益使每块组件功率提升1-1.5W。 最近一次对硅片的更新是在2019年5月
增加3.7W，因为CTM损失较低，并且能够降低电池生产成本，因为90:10的ITO目标比标准的97:3 ITO目标便宜约6%。2018年第一季度Hevel的生产线上第一次采用了优化的ITO配比

电池片源自太阳电池制造工业4.0系统。别看太阳能电池片其貌不扬，但却是不折不扣的智能制造。 采访过程中，记者了解到，通威太阳能在成本仅为行业水平的50%-60%情况下，电池转换效率、良品率、CTM值等

，可以将组件的光学利用率发挥到极致，该组件采用158.75方单晶电池封装，组件功率高达440W以上，CTM(电池和组件转化效率比值)可以做到101%以上。拼片组件功率密度更高，相比常规组件占地面积减少约

，可以将组件的光学利用率发挥到极致，该组件采用158.75方单晶电池封装，组件功率高达440W以上，CTM(电池和组件转化效率比值)可以做到101%以上。拼片组件功率密度更高，相比常规组件占地面积减少约

问题1.为什么补丁单晶体CTM1? 补丁的CTM1是为了限制电池的性能。传统的单晶perc 5bb封装的CTM为96.5，相当于100W电池封装后的96.5W模块(CTM：电池对模块)，组件玻璃

22.0%; 电池加工成本：两种电池的非硅加工成本取相同数值，按行业先进水平，不含税非硅成本取值0.30元/瓦; 组件CTM：直拉单晶、铸锭单晶PERC整片组件CTM相同，叠加MBB\白色EVA后皆可

路线何去何从有了一个清晰的判断：拼片极有可能在组件环节引发一轮新的技术革命。 日有所思，夜有所梦，那段时间似乎每天夜里梦到的都是拼片技术，有天夜里梦中隐约感觉到拼片技术Perc电池片的CTM

技术的五分之一，又得益于超高的CTM(大于100%)和超高的良率，生产过程中的可变陈本仅为叠瓦的90%。拼片的出现不仅会堵死叠瓦封装工艺的未来之路，更会使得沿用多年的组件封装技术迎来摧枯拉朽式的革命性
了叠瓦的专利问题，而且还在组件效率上做到了比肩甚至超越叠瓦的水平。 2、在组件效率不输于叠瓦的情况下，拼片的设备成本仅为叠瓦的四分之一，封装过程的可变成本也仅为叠瓦的90%以下，CTM超过100%，在

的CTM在101--101.5%左右，封装增益十分明显。拼片的CTM在101--101.5%，是一个封益的技术。拼片的CTM在101--101.5%，是一个封益的技术。拼片的CTM在