问题1.为什么补丁单晶体CTM>1?
补丁的CTM>1是为了限制电池的性能。传统的单晶perc 5bb封装的CTM为96.5，相当于100W电池封装后的96.5W模块(CTM：电池对模块)，组件玻璃的透过率一般大于94%，因此在封装过程中必须有一个组件。分光不发生事故，所以电池封装成组件一般会有轻微的功率损耗，所以CTM一般都要检查密封损耗有多小。
但这种拼凑的技术将引领你进入一个盈利的时代。我们将在未来研究组件技术，不是说功率损失有多小，而是功率增益有多大。拼装技术的包装不仅没有损失，而且有收益。测试电池时，增益主要来自两部分，一部分是半技术。按整片进行测试，但当封装时按半片进行密封，电流减半，在电阻下，功耗仅为原来的1/4，按P=I2R半片技术可增加组件5-6W，即在60板式中，则C对应CPM增长2%。
CPM升级的另一个原因主要来自于三角焊缝。电池测试时，主格栅的屏蔽部分默认不计算，但贴片技术封装后，主格栅部分覆盖有高反射率的镀锡三角焊条。三角焊具有很好的光学结构。然后，先前被主格栅堵塞和浪费的电池板部分被焊接条的三角形反射重新利用，这相当于电池容量的二次开发。如果使用传统的5bb模块，则平焊条的宽度为1毫米，共5毫米。然后，闭塞的总宽度为5 mm，闭塞面积的百分比为3.2%，采用补焊三角带技术可以弥补80%的损失。
根据我们的计算，80%的带损被恢复，相应的功率为7-8W，因此拼装技术可以将带损功率的一个点拉回。该区域的CTM增益也超过2%。将CTM 96.5原有的5BB整体装配，然后采用拼焊工艺，半增益为2%CTPM，三角形焊接。CTM，增益2.5%。最后，理论CTM是101-101.5，这是一种有益的技术。
这意味着客户可以用拼凑技术购买100个电池，实际销售101个组件，100瓦电池可以销售101个甚至102瓦组件。
问题2.为什么拼装件的装配效率高于叠层砖?
装配效率高于覆盖效率。60块模块的长度和宽度为1658 mm*996 mm。在面积比我大5%的情况下，可以与目标匹配的叠加模块可以是345W。如果组件的面积与叠层组件的面积相同，组件的功率将为335-360W，也就是说，在相同的面积内，补丁组件的功率比瓷砖组件高2-3个齿轮。
问题3.补丁的单瓦发电量是多少?
你可能会有一个问题：会有这样一种现象，即高测试功率，而分段组件的经验发电能力较弱?
根据实测的发电数据，贴片技术的单瓦发电量与传统的5bb半片技术几乎相同。
其原理很简单，即三角形的焊接带在电池和玻璃之间有一个全反射，也就是说，在垂直照明下，贴片的装配功率最高，但当侧面照明时，人们会说三角形的焊接带会为在它的背面有一个阴影问题。但事实上，它不会，因为光线从玻璃侧进入构件，会发生折射，那么这就是折射，会使光线变得更垂直，更垂直的光线照射到三角形的焊接带上，会发生两种情况，一种情况是53度以内。直接进入电池的入射光。在第二种情况下，倾斜角度大于53度的光，如89度，将被照射在焊接带上，玻璃会发生折射，然后出现全反射现象，最终将光照射到电池上。因此，贴片三角带焊接技术使光得到了近100%的光。利用。
这就是为什么修补技术。测得的发电量也是发电量相对较高的原因之一。
问题4.补丁的背面阴影
贴片技术的特点是前三角板的背面平整灵活。为了保证前三角板与柔性扁平焊条重叠的稳定性，柔性扁平焊条的宽度相对较宽。目前，背部扁平柔性焊接带的宽度为1.5 mm。在初始阶段，它甚至可能是1.8毫米。7个的总数是10.35毫米。5BB封装背面的覆盖面积为5 mm宽，因此修补技术将比传统的5 mm封装大100%。
什么是能量遮挡损失?由于后面的发电能力仅占前面的10%，所以它并不是全部覆盖，而是比传统的5bb的后面的发电能力宽5毫米。在仅占10%功率的基础上，实际功率损耗约为0.8W，即插片组件的后发电能力将比传统的5bb模块的后发电能力小0.8W，称为插片。解决芯片组件背面遮光问题的方法是提高平焊条的定位精度，后续使用宽度为1.2mm的平焊条可以降低定位精度。
问题5.补丁的tc有多可靠?
不仅测试了TC，还测试了TC200 TC500。补丁的TC测试性能与传统的5BB TC测试一致，许多其他测试与传统组件的测试一致。
那这是为什么?这与导电粘合剂的使用非常不同。使用新的包装材料，需要重新验证组件的稳定性。实际上，修补技术并没有脱离传统的焊接带系统。焊接的逻辑之一是主网格线，其顶部与焊接带焊接在一起，然后将焊接带串联起来。只要不存在焊接问题，焊接的整体试验稳定性性能与常规构件的试验稳定性性能是一致的。
目前，精科和正泰有实证数据，部分厂家已完成一套完整的认证。目前，我们已经启动了全球补丁技术认证计划，也就是说，我们过去发过一批组件，你把它们放在你的环境阶段实验温度来测试和检查补丁的稳定性。
问题6.补丁技术中使用的电池是否与传统电池不同?
问题7.修补技术中有许多焊接接头。这些焊接接头的稳定性和可靠性如何?
拼焊技术的一个特点是采用了前后两种不同的焊接带，并采用搭接接头实现，是一项备受关注的核心专利。
至于焊点，因为三角形的焊点有15um的锡，而扁平的焊点本身有20um的锡，所以焊点处的锡是最丰富的，所以是在焊点处。这种焊接是最充分和最强的。除非定位精度不够，否则平板焊锡会有偏差，否则只要重叠，焊锡就会完成。重点是最强的地方。
问题8.贴片与较薄硅的相容性如何?
许多朋友担心补片与薄板的相容性，因为三角形的焊接带又高又厚，会更容易开裂吗?
事实上，恰恰相反，贴片对薄片的接受度最高。整个焊接过程中补片的环境非常平坦。我们采用独特的背面焊接方法，使焊接环境非常平坦。在整个焊接过程中没有不均匀点，因此在实际操作中不易产生焊接裂纹。在此期间，我们测试了一个140厚度的电池。焊接条件良好。
问题9.修补的收益和成本?
刚才提到的NANDE试验的部件338.9W长1658 mm，宽996 mm。该组件的长度和宽度几乎与传统组件相同，但我的功率为340 W。整个包装材料与传统的EVA不同。其余玻璃、背板、边框和接线盒相同。唯一的区别是我前面的EVA会比较厚，它需要使用560克以上的EVA，就这个区别而言，它一个组件大约要花费5元，整个组件的包装成本比传统组件高5元。
芯片组件的封装成本比常规组件高5元，功率比常规组件高25-30W。传统模块60的功率只能达到310瓦到315瓦，而补丁技术可以达到340瓦。
也就是说，如果我们检查单瓦的包装成本，计件成本是最低的。单瓦的包装成本将比传统部件便宜7-9美分。组件厂总投资仅7.8亿元。假设一个1GW的组件工厂比一瓦便宜7-9美分。光包装材料的单瓦节能能力在过去一年可产生8900万的利润。
问题10.拼装锭的单晶CTM表现如何?
7月份将采购一批7bb锭单晶电池进行测试。目前，估计包封锭单晶比直拉单晶硅低4-5W。具体来说，它取决于封装后的数据。
问题11.贴片和反光贴片的比较。
就我个人而言，我认为一张胶卷(eva比胶卷厚)的成本不需要超过10元，但修补的成本比胶卷低。在功率增加方面，由于三角形镀锡焊锡条的反射率为98%，因此该灯的反射率最好。实际测试数据表明，三角形镀锡焊锡条的反射率为98%。采用拼焊技术可使原来的3.2%的5bb焊接带遮光恢复80%。
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