非晶硅

Al2O3介质膜产业化制备技术不断成熟，PECVD、ALD等镀膜设备 出现后，厂家开始导入并快速扩张产能。 HIT设备投资较高，非晶硅镀膜占主要价值。HIT的制作工艺相较于传统电池技术大大 简化
，只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、金属化四个步骤。但HIT难度 系数更高，进口HIT设备投资约为8-10亿元/GW，若实现国产化有望降低至5元/GW以下。 其中核心环节在于非晶硅薄膜沉积

能源、钧石能源、捷造光电等企业。 开源证券也认为，在异质结的四大工艺环节方面，一是清洗制绒环节，主流工艺为RCA法，需要用到制绒添加剂，目前主要靠进口，但国内已有研究突破;二是非晶硅沉积，利用化学气相

电池产能接近3GW，但主要参与方当前的规划产能已经超过16GW，具有长期投资价值。 异质结电池全称为本征，同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的
(背面的高低结亦然)。 在电池新技术方面，异质结电池由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片、可叠加钙钛矿等多种天然优势

高昂的成本是目前HJT技术在推广中存在的最大制约。为改善这一问题，晋能科技目前已从导电银浆、ITO靶材、制绒添加剂等方面展开降本工作。同时，通过对非晶硅沉积、TCO沉积、金属化等技术进行突破性重塑设计

高昂的成本是目前HJT技术在推广中存在的最大制约。为改善这一问题，晋能科技目前已从导电银浆、ITO靶材、制绒添加剂等方面展开降本工作。同时，通过对非晶硅沉积、TCO沉积、金属化等技术进行突破性重塑设计

，与传统 P 型电池相比，N 型电池非晶硅与晶 体硅沉积环节对制程环境要求严格，同时磷扩散制程需要达到适合洁净度要求并有效的钝 化，生产工艺难度要求大幅提升，以现有 PERC 产线为基础，升级至 N

由于更高的开路电压和填充系数。热退火需要使用更大、成本更高的制造工具。 然而，强脉冲光(IPL)受到敏感非晶硅异质结结构的温度约束。根据研究人员的说法，该技术更实际的应用是在晶圆的两面都应用了耐温

未来主题的线上研讨会暨MILKYWAYPLUS+新品发布会成功举办。 航天光伏技术总监沈禛珏表示：MILKYWAYPLUS+异质结新产品电池相较于其他电池由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化

昊科技中标一套0.19亿元丝网印刷线。此次中标情况验证了HIT电池路线进展顺利，技术迭代下光伏设备行业即将迎来爆发。 整线价值量测算：根据HIT生产线流程清洗制绒、非晶硅沉积、TCO导电膜沉积

、PVD等生产设备并形成初步生产能力。PECVD、PVD设备是异质结电池片生产线中的核心工艺设备，用于制备P型或N型非晶硅和本征非晶硅薄膜等。项目计划总投资12588万元，预计使用本次募集资金9000万元