非晶硅
硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损 伤。
③获得较高的转换效率
。HJT电池中的本征薄膜能有效钝化晶体硅和掺杂非晶硅的界面缺陷，形成较高的开路电压。
④由于电池上表面为TCO导电玻璃，电荷不会在电池表面的TCO上产生极化现象，PID现象(电势诱导衰减
使电池效率进一步提升。在硅片表面同时采用本征的非晶硅进行表面钝化，在背面分别采用N型和P型的非晶硅薄膜形成异质结。其优点是利用非晶硅优越的表面钝化性能，并结合IBC结构没有金属遮挡的结构优点，采用相同的器件
非晶硅太阳电池的转换效率温度变化率分别为-0.176 %/℃和-0.08%/℃。 此前有光伏工作者在7月份测试了外界气温高达40℃时光伏组件的表明温度，高达57.5℃，背板温度达到63℃!由此计算
三洋公司于1990年成功开发，因HIT已被三洋注册为商标，因此又被称为HJT或SHJ。HIT电池同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的(背面的高低结亦然
)。
HIT投资成本因设备配置变化而改变。其取决的因素包括采用完全进口设备还是部分国产设备;同种工艺选择何种设备，比如非晶硅沉积选择HWCVD还是PECVD，TCO镀膜选择RPD还是PVD。目前，全
异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下：
01
制绒清洗机 ：
电池正反面制绒
02
等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积
逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面
正反面制绒
02、等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型
异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下：
01、制绒清洗机 ：
电池正反面制绒
02、等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积本征
非晶硅的良好对缺陷的钝化以及更大的禁带宽度，电池的开路电压高。 ◇ 温度和光照稳定性好 HJT电池温度系数小，在弱光和光照升温条件下输出特性衰减较少，无Staebler-Wronski效应，几乎
(低于 200℃)，可降低制造流程中的能耗及对硅片的热损伤;6)温度系数低，在高温及低温环境下均具备较好的温度特 性。以 N 型硅片为衬底，经过制绒清洗后，在正面依次沉积 5-10nm 本征非晶硅
薄膜和掺杂 P 型非晶硅薄膜，与硅衬底形成异质结，背面通过沉积 5-10nm 的本征非晶硅薄膜和掺杂 N 型非晶硅薄膜形成背表面场。在掺杂非晶硅薄 膜表面沉积 TCO 透明导电氧化物薄膜，最后在正背表面
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