非晶硅薄膜
温度(~900℃)。低温制造工艺可以有效减少热应力对膜产生的变形影响，加上两侧对称的非晶硅薄膜构造，电池基底的热损伤大大降低，有利于实现晶片的轻薄化和高效化。
高稳定性
HIT太阳电池Voc越高
工艺技术的核心，要求氢化非晶硅膜层的缺陷态密度低、折射率高且光吸收系数低。目前，国内外文献多采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备非晶硅薄膜，其他方法如热丝化学气相沉积技术(HWCVD)、常压
间衬底为n 型晶体硅，经过清洗制绒的n 型c-Si 正面依次沉积厚度为5～10 nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p 型非晶硅薄膜(p-a-Si:H)，从而形成p-n 异质结。在硅片背表面
依次沉积厚度为5～10 nm 的i-a-Si:H 薄膜、n 型非晶硅薄膜(n-a-Si:H)形成背表面场。在掺杂a-Si:H 薄膜的两侧，再沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷技术在两侧
中心;二是场效应钝化，即通过电荷积累，在界面处形成静电场，从而降低少数载流子浓度。
文献中齐晓光等采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料，研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响。通过对
存在，产生了大量的缺陷态，进而使其在进一步的应用中受到了限制。对非晶硅进行氢化可以得到含氢的非晶硅薄膜，即a-Si∶H。由于使用硅烷(SiH4)作为气源，沉积后的薄膜中存在大量的氢原子和氢原子基团
峰值电压：26.5V 峰值电流：6.23A 开路电压：34.0V 短路电流：6.74A 6.3 非晶硅薄膜电池组件 技术指标要求： 功率：95wp 尺寸：11001300mm 重量
太阳电池，由于其特殊的结构和制备工艺，其导电银浆中导电相为Ag-Al 合金，可以在p+ 发射极硅表面获得低接触电阻。对于HIT 太阳电池而言，高温会对电极下面掺杂的非晶硅薄膜产生损伤，因此必须
。 另外，研究人员认为该研究具有一定的推广价值，虽然他们在实验中使用的是氢化非晶硅薄膜，但这种纳米结构对任何类型的薄膜太阳能光伏技术都有改善作用，并可用于工业生产。
然后从电池的一个表面流出，从而实现两者的分离。
2、HIT电池工艺流程
HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。
图表2：HIT
太阳能电池工艺流程
资料来源：OFweek行业研究中心
制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。
HIT
范围：三亚市科技工业信息化局三亚市太阳能分布式光伏发电试点项目(2个包)。
包号：包号一：三亚市太阳能分布式非晶硅薄膜光伏发电试点
2.1.1.项目名称：三亚市太阳能分布式光伏发电试点项目
2.1.2.项目编号：HNZCGC2018139
2.1.3.采购内容：序号 采购内容 数量 单位 预算金额(元) 包次
2.1.3.1.三亚市南繁科学技术研究院67.2KWp屋顶分布式非晶硅薄膜
成熟，因此目前应用较多的太阳能电池主要包括单晶硅、多晶硅以及非晶硅薄膜太阳能电池。 太阳能电池分类 数据来源：公开资料整理 从各类太阳能电池市场份额的变化来看， 多晶硅的高性价比使其
预计其生产成本将与传统P 型PERC 接近)而HIT 技术虽然整体的效率最高，但是由于其晶硅电池表面需要再添加非晶硅薄膜，因此量产化之后成本一直较高，因此需要进一步的生产技术突破或优化。
