非晶硅薄膜
配套园区。中山铨欣照明电器有限公司是一家成立于2005年的中外合资企业，主要生产太阳能光伏发电用单晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜电池等系列1600多种产品，制造技术达到世界先进水平，2016年度公司实现
优势与瓶颈
可以看出HIT电池虽然性能较优，但仍然存在许多问题，一定程度上限制了其大规模量产，原因有三。
1、HIT电池生产过程中的每一步工艺要求都非常严格，由于非晶硅薄膜生长对表面质量要求很高
，因此对前道晶硅的表面清洁净化技术提出非常高的要求。
2、非晶硅薄膜无法承受较高温度的后续工艺，后道必须使用高成本低温工艺和材料。
3、TCO薄膜成本较高，且产量有限。
基于此，在保证高效的情况下
认为热退火和光浸润可以提升电池效率，但在现实应用场景中情况比这个复杂得多。目前都表示不太懂 ，有待研究。。。非晶硅薄膜光衰惨淡，但是至少是稳定的惨淡。光致衰减的StaeblerWronski效应以及热
复杂得多。目前都表示不太懂 ，有待研究。。。 非晶硅薄膜 光衰惨淡，但是至少是稳定的惨淡。光致衰减的StaeblerWronski效应以及热退火的恢复作用已经研究的比较清楚了，性能指标的可预测程度
19.8%，CdTe薄膜电池效率达19.6%，非晶硅薄膜电池的效率则为10.1%。而DraculaTechnologies团队正在开发一种可捕捉更多波长范围的导电塑料，该技术称为“LAYER
19.6%，非晶硅薄膜电池的效率则为 10.1%。 而 Dracula Technologies 团队正在开发一种可捕捉更多波长范围的导电塑料，该技术称为LAYER(Light as Your
实验室研发的硅基太阳能电池来看(非硅空气电池)，单晶硅电池效率为 25.0%，多晶硅电池效率为 20.4%，CIGS 薄膜电池效率达19.8%，CdTe 薄膜电池效率达 19.6%，非晶硅薄膜电池的效率
太阳能量，依目前在实验室研发的硅基太阳能电池来看(非硅空气电池)，单晶硅电池效率为25.0%，多晶硅电池效率为20.4%，CIGS薄膜电池效率达19.8%，CdTe薄膜电池效率达19.6%，非晶硅薄膜
由于能带弯曲，阻挡了电子向正面的移动。相反对空穴而言，由于本征层很薄，空穴可以隧穿后通过高掺杂的p+型非晶硅。在背面同样沉积本征非晶硅薄膜和掺磷的n+非晶硅层，同样由于能带弯曲，阻挡了空穴向背面的移动
量产。首先其生产过程中的每一步工艺要求都非常严格，比如由于非晶硅薄膜生长对表面质量要求很高，所以对前道晶硅的表面清洁净化技术提出非常高的要求。其次，非晶硅薄膜无法承受较高温度的后续工艺，后道必须使用高成本低
舅 与张忠卫这样一位儒雅的业内长者交流是件很愉快的事情，学识渊博，思维活跃，谈吐清晰。1985年开始从事光伏电池研究，大学专业是固体物理，本科毕业论文是非晶硅薄膜太阳电池研究，博士论文是铜铟镓硒
