非晶硅薄膜
硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损 伤。
③获得较高的转换效率
58.3亿元，制绒设备市场空间为25亿元。
HJT电池设备以国外为主，国产企业加速国产化。HJT电池的生产流程包括制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO(透明氧化物导电薄膜)沉积、丝网印刷四步。对各个环节的
使电池效率进一步提升。在硅片表面同时采用本征的非晶硅进行表面钝化，在背面分别采用N型和P型的非晶硅薄膜形成异质结。其优点是利用非晶硅优越的表面钝化性能，并结合IBC结构没有金属遮挡的结构优点，采用相同的器件
异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下：
01
制绒清洗机 ：
电池正反面制绒
02
等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积
逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面
正反面制绒
02、等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型
异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下：
01、制绒清洗机 ：
电池正反面制绒
02、等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积本征
(低于 200℃)，可降低制造流程中的能耗及对硅片的热损伤;6)温度系数低，在高温及低温环境下均具备较好的温度特 性。以 N 型硅片为衬底，经过制绒清洗后，在正面依次沉积 5-10nm 本征非晶硅薄膜
和掺杂 P 型非晶硅薄膜，与硅衬底形成异质结，背面通过沉积 5-10nm 的本征非晶硅薄膜和掺杂 N 型非晶硅薄膜形成背表面场。在掺杂非晶硅薄 膜表面沉积 TCO 透明导电氧化物薄膜，最后在正背表面
异质结是光伏行业的第五次技术革命。相较于传统电池，异质结电池生产工艺步骤大幅减少，主要工艺仅4步，分别为制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应设备为制绒机、HWCVD/PECVD
减少了扩散、刻蚀及烧结 3 个步骤，核心工艺为非晶硅薄膜沉积，PECVD 中非晶硅的生长可以看作是含硅的基团在衬底表面上的扩散与吸附，包括本征非晶硅的沉积与钝化以形成高质量的异质结面钝化层、掺杂非晶硅
沉积(N 型)以形成发射极和背表面场、TCO 沉积以提供高导电率的电荷输运通道。异质结整个生产工艺主要为制绒、非晶硅薄膜沉积、丝网印刷、分选四个步骤。
3、降本空间大
使用
技术路线，是在N型单晶硅片上镀非晶硅薄膜来实现电池的高转换效率。
目前，钧石能源实际量产规模为600MW，后续合作中大规模生产能否顺利进行，存在不确定性。
异质结(HIT/HDT)是N型电池的技术路线
之一，在晶体硅上沉积非晶硅薄膜的独特构成，使其综合了晶硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率光伏电池的热点方向之一。目前行业内关注并研究异质结电池技术的企业有日本松下(量产规模1000MW)、美国
非晶硅薄膜，可谓综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，效率高、无光衰、温度系数低、弱光响应高等诸多优势加身。从转化效率来看，HJT理论效率高达27%以上，实验室效率在26%以上。 然而，从电池企业实际的
