非晶硅薄膜
intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底，通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征及不同掺杂类型的非晶硅薄膜，并采用双面透明导电薄膜做电流收集层
。 HIT生产线核心设备有望近期实现国产化：HIT的4大工艺步骤制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应的设备分别为清洗制绒设备、CVD设备(PECVD为主、HWCVD较少)、PVD/RPD设备
及不同掺杂类型的非晶硅薄膜，并采用双面透明导电薄膜做电流收集层，从而形成高效光伏电池。区别于常见的丝网印刷银栅线的硅异质结电池，C-HJT电池的特点在于其采用金属沉积的方式制备铜栅线，使栅线具有更加优化的高宽比，提高了短路电流，提升了电池的转换效率，同时铜栅线在材料导电性及成本上也更具有优势。
沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，被认为是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。
与主流的高效光伏电池PERC相比，异质结转换效率和发电量都更高，且具备更强的技术延展空间
生产环节，最高工艺温度不超过200℃，可使用130m甚至更薄的硅片，在设备和材料上的降本空间很大，成本优势非常明显。
异质结电池还有其它优势。据索比光伏网称，异质结电池工艺简单(制绒清洗、非晶硅薄膜
非晶硅薄膜，N型非晶硅薄膜，背面依次沉积本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜，掺杂非晶硅薄膜两侧分别沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，在TCO两侧顶层形成金属电机。 预计2023年HJT电池片成本接近
HJT的主要生产工艺有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备和丝网印刷四步，其中TCO制备是生产HJT电池的第三道核心工序，高质量的TCO薄膜能有效提升HJT电池的整体转换效率。目前TCO镀膜设备
主流地位的稳固，业界也着手培育下一代电池技术的方向。如今，备受推崇的下一代主流电池技术的候选者，莫过于一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池HJT(异质结)电池。 业内普遍看好异质结未来
，技术上不再存在壁垒。 异质结电池工艺简单(制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备)、效率高、工艺温度低、光致增益全生命周期发电量高、弱光发电性能较好，以及能更好的利用超薄硅片，并且未来可与
，第二代主要包括非晶硅薄膜电池和多晶硅薄膜电池;第三代主要指具有高转换效率的一些新概念电池，听起来似乎有点遥远，但也取得了一些突破。 近日，极电光能宣布自主研发的钙钛矿太阳能组件转换效率再创新高
发生化学反应，沉积成膜。PECVD 在传统晶硅电池中主要用于钝化层和减反层薄膜的沉积，薄膜厚 度均大于 100 nm;HJT 技术采用 PECVD 在硅片正反面先后沉积两层非晶硅薄膜用作钝化层，钝化
，放置硅片的载板按 照设定的速度移动，成膜厚度由载板在腔室内的移动时间决定，所用节拍时间大幅缩短，提高了真空系统使用效率， 产能更高，设备成本相对更低。
但由于非晶硅薄膜沉积过程对各种环境因素的变化
