非晶硅薄膜
的平台级技术 自20世纪80至90年代日本Sanyo研发出并确定本征非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构之后，异质结电池(HJT/HIT)的转换效率即在晶硅太阳能电池中位居前列，近期未叠加其他技术的
建设、运营，是北方华创重要客户。 拓日新能：实现光伏全产业链布局，产业链涵盖了非晶硅薄膜电池、晶体硅太阳电池、太阳能应用产品、光伏玻璃和光伏支架等领域，同时拥有太阳能发电投资运营业务。
HJT、HDT、SHJ。该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势。是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。
据招商证券报告，HIT电池结构是以N型单晶硅片作衬底，正反面个
三层薄膜(本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层TCO)。
这种结构给HIT电池带来了效率高、低光衰、温度系数低、双面发电、弱光响应高等多项优势，呈现出来的结果就是，HIT电池具备更高的
示意图
资料来源：OFweek行业研究中心
2、HIT电池工艺流程
HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。
图表2
：HIT太阳能电池工艺流程
资料来源：OFweek行业研究中心
制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。
HIT
沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势。 招商证券最近的研报中提到，HIT电池具有高效率、低衰减、低温度系数、高双面率等诸多优势，优势显著存在溢价。 目前海外23%效率的HIT电池价格
关键时期，关注布局N-HJT的电池企业。 事件驱动 上市公司竞相布局 晶体硅异质结太阳电池(HIT/HDT)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单、工艺温度低
了0.5。 如今HIT是蓄势待发，而关于HIT，你知道多少?HIT问世已30年，技术积累带来突破。未来又将如何发展? 异质结电池从萌芽走向成熟 HIT萌芽：1989-1990年。日本三洋用非晶硅薄膜
击穿效应，是半导体器件和光伏电池的主要结构单元。根据PN结内部结构的不同，分为同质结和异质结。HIT电池是由晶硅衬底和非晶硅薄膜构成，因此称为异质结电池。
异质结电池最早由日本三洋于1990年研发
异质结电池一般是以 N型硅片为衬底，在正面依次本征富氢非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜。在非晶硅薄膜两侧再沉积80-100nm的透明导电氧化物薄膜 TCO
)高效电池用 PECVD 工艺装备并形成年产 40 台(套)该设备的生产能力。金辰介绍，该设备是 HJT 电池片生产线的核心工艺设备，用于制备 P 型非晶硅、N 型非晶硅和本征非晶硅薄膜。该项目已完
输出功率为初始功率的92%，光衰指标比较好。
2.HJT降本的理论空间较大，具体进展需要再跟踪：HJT电池生产只有四步，清洗制绒、PECVD镀本征和掺杂非晶硅薄膜、PVD镀金属导电膜、丝印烧结
，制备过程只有清洗制绒、PECVD镀本征和掺杂非晶硅薄膜、PVD镀金属导电膜、丝印烧结等步骤(较现行路线少了3-4个步骤)，未来HJT生产也将更智能化，长期降本可能主要集中在耗材、设备上。
REC目前
