非掺杂
和纯化
气体回收、再利用及副产品;
工艺反应堆和其他设备;
物理法多晶硅—升级的冶金级硅
分会三——成晶与晶圆加工
晶体生长方法和热场设计;
晶态、非晶态和混晶态
结构;
掺杂与杂质控制;
硅片切割、抛光、清洁及新硅片切割技术
蚀刻、打磨、去应力和清洁
防反光涂层、SiN及新的硅材料
分会四——太阳能电池及组件工程
先进的
成本甚至是良率，都是目前该突破的部分。 目前已有部分业者提出保证转效率水位的策略，但非每家投入者都能挂保证，对电池厂而言，仍必须更动原有制程，这也让部分业者犹豫投入，对模组业者而言，类单晶的枫叶型
问题，而部分业者则认为，与其投入类单晶及处理它的问题，不如投入发展相对成熟的单晶市场，只不过目前单晶因材料及生产成本问题仍以大陆市场为主，且因投入者众，品质不一的问题也掺杂其中。 台湾业者投入
工作，2007年10月出任保利协鑫能源控股有限公司执行董事，亦为亚洲能源物流集团有限公司的非执行董事，目前任江苏中能董事。
胡晓艳，拥有中欧国际工商学院ＭＢＡ学位，曾在深圳同人会计师事务所、德隆
籽晶，然后拉伸为圆柱晶棒，再被切割成片，加工成为单晶硅硅片。硅片通过刻蚀、掺杂、涂层以及敷设电触头等工艺制成太阳能电池。太阳能电池然后进行互联形成太阳能电池组件。组件和其它系统部件分销给安装商或直接分销
方纤锌矿型。其中铝掺杂的氧化锌薄膜研究较为广泛，它的突出优势是原料易得，制造成本低廉，无毒，易于实现掺杂，且在等离子体中稳定性好。预计会很快成为新型的光伏TCO产品。目前主要存在的问题是工业化大面积
镀膜时的技术问题。光伏电池对TCO镀膜玻璃的性能要求1.光谱透过率为了能够充分地利用太阳光，TCO镀膜玻璃一定要保持相对较高的透过率。目前，产量最多的薄膜电池是双结非晶硅电池，并且已经开始向非晶/微晶
％和50％，这是分别对比未掺杂的太阳能电池。6个电子的掺杂水平是50％的提高，相当于整体效率从9.3％（非掺杂太阳能电池）提高到14％。研究人员认为，这种大幅度提高的光伏效率是来自两个基本效果。首先
透明电极材料，石墨烯用作电极，可用于液晶显示器，太阳能电池，iPad和智能手机使用的触摸屏，以及有机发光二极管（ OLED）显示器，这种显示器用于电视和计算机。 但是，最近的研究表明，掺杂是
Tunable Graphene/Phthalocyanine–PPV Hybrid Systems），他们提出了一种化学方法，制成非共价（non-covalently）功能性石墨烯，这种材料产生于
而进入激发态，处于激发态的电子属于亚稳态，在短时间内会回到基态，并发出以1150 nm的红外光为波峰的荧光。利用冷却的照相机镜头进行感光，将图像通过计算机显示出来。发光的强度与本位置的非平衡少数
)。 原材料缺陷势必导致Si衬底非平衡少数载流子浓度降低，造成扩散结面不平整，p-n结反向电流变大，从而影响太阳电池效率。 2.2 扩散工艺 扩散是制备晶体Si太阳电池的关键工艺步骤，其直接决定着电池的
，价格会有一定幅度的回落，但从成本角度，薄膜电池还是具有明显的成本优势。 作为薄膜电池的主要原料之一玻璃，约占原材料成本的40%。非晶微晶工艺的薄膜电池需要超白玻璃，因为超白玻璃具有高透光率，对
中得到很大程度的提升，采用非晶双结技术的薄膜太阳能电池稳定后的转换效率的理论上限为15%，在有报道的量产中最高转换效率已经达到了11%左右。晶体硅电池的发展也推动了薄膜太阳能电池的快速发展，薄膜太阳能
转换效率为16.8%。HIT是指Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，本征薄膜层异质结构。该工艺是在P型氢化非晶硅和n型硅衬底之间增加一层非掺杂的本征氢化
让磷酸更均匀地分布在晶圆上，使太阳能电池拥有最佳性能。 在掺杂工艺后，SELURIS Clean主要被用作高效清洗剂，可将残留在晶圆表面上的磷轻易、快速地清除，降低非预期性电气误差发生率，从而避免
– 更优质的清洗方案
SELURIS Clean在太阳能电池的生产流程中可应用两次，分别是在磷酸掺杂工艺的前后。在掺杂工艺前，必须要让经过切割和表面粗化的硅晶圆具备亲水性，这可使其表面较为润湿，并
