非掺杂

晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。HIT太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。

远大于电子，因此电子所获得的加速度与速度将远大于离子，以至电子的动能远大于离子，电子与离子间处于非平衡状态。从气体动力论中，得知EkiNetic=(3/2)kT，由此可知，等效电子温度远大于等效离子
，所以化学反应在竖直方向上发生。但边壁上的防腐剂保护侧壁免遭腐蚀，因而刻蚀是各向异性的。现在太阳电池器件制造过程中常采用的等离子体是由射频放电产生的非平衡等离子体。为实现超微细、大面积和高速加工的目的

目前的太阳电池工艺中，通常采用已经掺杂了一定量的硼的Ｐ型硅片作为原料，在硅片的一面通过扩散磷来形成Ｐ－Ｎ结，采用三氯氧磷（ＰＯＣｌ３）作为扩散源提供磷原子。常用的扩散方法为石英管中进行的闭管液态源
会随时间变化，菲克第二定律研究了非稳态扩散时，某点的浓度随扩散时间的变化关系。式中，t为扩散时间，J为扩散通量，D为扩散系数，C为浓度，x为长度。杂质原子的扩散分布与初始条件和边界条件有关，所以某一点某时

。非晶硅的原料是晶硅太阳能电池生产中西门子法生产多晶硅之前的硅烷气体，通过在硅烷（SiH4）中掺杂乙硼烷（B2H6）和磷化氢（PH3）等气体，在低成本基板上（玻璃、不锈钢）低温成膜，避开了成本最高和技术
技术在非硅衬底上制备晶粒较小的多晶硅薄膜的一种方法。该薄膜是一种p-i-n结构，主要特点是在p层和n层之间有一层较厚的多晶硅的本征层（i层）。其制备温度很低（100～200℃）。日本科尼卡公司在

（BSF）电池在电他的背面接触区引入同型重掺杂区，由于改进了接触区附近的收集性能而增加电他的短路电流；背场的作用可以降低饱和电流，从而改善开路电压，提高电池效率。（2）紫光电他这种电池最早（1972）是为
面积小，从而可以降低成本，同时在高光强下可以提高电池开路电压，从而提高转换效率，因此聚光电池一直受到重视。比较典型的聚光电池是斯但福大学的点接触聚电池，其结构与非聚光点接触电池结构相同，不同处是采用

刚性衬底，也可以是不锈钢、塑料等柔性衬底，应用范围广。薄膜电池硅基薄膜太阳电池的劣势1.非晶相的光致衰退效应，造成电池性能稳定性差2.叠层电池结构增大了工艺复杂性和设备成本3.性能提升速度慢，产业化效率
能量损失影响硅基薄膜太阳电池性能的因素1.捕光结构：迎光面减反射结构、背光面增强反射结构、中间选择性增反射结构2.光伏材料层：光吸收层（i层）、掺杂层（p、n层）3.电池结构（p-i-n）：材料层的淀积

。对于易碎材料的加工，通过非接触式的方法减小机械冲击是建立可靠的工艺生产线的基础。在更换工具后昂贵的工艺调整过程就不必要了，因此减少了生产过程中的停机时间。简介：光刀和晶硅太阳能电池的生产在仍
占主导地位的晶硅太阳能电池生产中，激光器一直被用于切割硅片和边缘绝缘。电池边缘的掺杂是为了防止前电极和背电极的短路。在这一应用上，激光已胜过其它传统的工艺。等离子刻蚀未能满足自动化要求，破损率很高。经验证的

的参数太多，无籽晶铸锭工艺显得尤为困难。（2）有籽晶铸锭。当下量产的准单晶技术大部分为有籽晶铸锭。这种技术先把籽晶、硅料掺杂元素放置在坩埚中，籽晶一般位于坩埚底部，再加热融化硅料，并保持籽晶不被完全融
工艺，目前maple系列电池片效率已经达到了18.2%。然而由于碱制绒的各项异性，准单晶中尤其边缘，非指定晶向处无法腐蚀，会在电池表面形成高亮区域，影响组件成品的外观。图2昱辉和晶澳准单晶电池片4.准

转化为生产力。创建了世界上最大的光伏材料单晶硅生产基地晶龙实业集团。任丙彦研究发现了NTDCZSi（中子嬗变掺杂直拉硅）退火中850℃产生的辐照施主现象，并在省和国家自然科学基金的资助下对辐照施主的
工业大学领导的重托，带着中子嬗变掺杂直拉硅专利和技术团队到了宁晋，晶龙的前身宁晋县晶隆半导体厂在这个既无资源又无高科技人才的静谧小县城成立了。任丙彦自己却羞于提起这段创业往事。接受采访时，这位满头白发的

，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅，形成P-N结。当光线照射太阳能电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅
电力线受到破坏或被迫关闭，逆变器就要停止向用电设备或电网供电。如果电力线电压偏低或欠压，或出现较大的扰动时，要采用一种用于非孤岛逆变器的传感器来传感这种情况。当出现这种情况时，逆变器将自动地关闭向电网供电