非掺杂
转换效率为16.8%。HIT是指Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，本征薄膜层异质结构。该工艺是在P型氢化非晶硅和n型硅衬底之间增加一层非掺杂的本征氢化
让磷酸更均匀地分布在晶圆上，使太阳能电池拥有最佳性能。 在掺杂工艺后，SELURIS Clean主要被用作高效清洗剂，可将残留在晶圆表面上的磷轻易、快速地清除，降低非预期性电气误差发生率，从而避免
– 更优质的清洗方案
SELURIS Clean在太阳能电池的生产流程中可应用两次，分别是在磷酸掺杂工艺的前后。在掺杂工艺前，必须要让经过切割和表面粗化的硅晶圆具备亲水性，这可使其表面较为润湿，并
光电转换效率大大提高，接近于20％。n-InP电极的晶面取向和掺杂浓度对光电性能有很大影响，掺杂浓度低（1016cm-3）的光电流、光电压优于掺杂浓度高（1018cm-3)的电极；在Fe2+/Fe3+
技术和热沉积源技术，同时还需用到芯片制造过程中所必需的合适的量测工具。光伏企业可能对此较为陌生，但半导体公司却驾轻就熟。再比如，就太阳能光伏材料而言，目前主要面临着控制表面粗糙度、叠层的掺杂分布、钝化层中
氢的含量，以及表面污染4项挑战。我们知道，污染物对生产效率和太阳能电池本身的效率都有着重要影响，而对表面污染的处理，如果在每个可能出现材料表面污染的工序使用接触式清洁技术，而非目前光伏企业大都采用的非
，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统
。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚
保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在
可由导电玻璃的导电面（涂有导电的SnO2膜层）构成，利用一个简单的万用表就可以判断玻璃的那一面是可以导电的，利用手指也可以做出判断，导电面较为粗糙。如图所示，把非导电面标上‘+’，然后用铅笔在导电面上
研究进展迅速，材料性能已可与ITO相比拟，结构为六方纤锌矿型。其中铝掺杂的氧化锌薄膜研究较为广泛，它的突出优势是原料易得，制造成本低廉，无毒，易于实现掺杂，且在等离子体中稳定性好。预计会很快成为新型的
透过率。目前，产量最多的薄膜电池是双结非晶硅电池，并且已经开始向非晶/微晶复合电池转化。因此，非晶/微晶复合叠层能够吸收利用更多的太阳光，提高转换效率，即将成为薄膜电池的主流产品。
2.导电性
激光加工技术是RISE加工程序中最关键的技术。由于他们所使用的非接触式激光加工技术在大多数其他工业中早已应用，因此RISE加工工艺是适于利用大面积晶体硅薄晶片工业生产RISE太阳能电池，这将
。AdventSolar公司则采用另外一种被称之为发射区围壁导通(emitterwrapthrough)技术。用激光在硅晶片上 钻通孔，高掺杂壁将发射区前表面的电流传导到背表面的金属接触层，因而能进一步降低屏蔽损耗，提高光
世纪80代中后期，非晶硅太阳能电池产量份额曾一度达到20%。但由于其受本征及非本征衰减大等问题累加的困扰，加之市场规模很小，发展受到限制。科学家们开始研究开发转换效率高的化合物薄膜电池，一般在10
pin结构电池，窗口层为掺硼的P型非晶硅，接着沉积一层未掺杂的i层，再沉积一层掺磷的N型非晶硅，并镀电极。 非晶硅电池一般采用PECVD
存在几种制造硅有源层的技术1，本文将讨论其中的三种。
薄膜PV基础
第一种技术是制作外延（epitaxial）薄膜太阳能电池（图1），从高掺杂的晶体硅片（例如优级冶金硅或废料）开始，然后
±77.8%）。然而，短路电流（Jsc ）受限于薄的光学有源层（20mm）。穿透外延层的光会被高掺杂、低质量的衬底收集而损失掉。因此，这两种太阳能电池技术之间的短路电流相差7 mA/cm2并不少见。体硅
