单晶硅棒,如下图所示:多晶晶体的生长工艺本身决定了它无法生长出大面积单一晶向的晶体(单晶),多晶的本质就是大量的小单晶的集合体,如下图所示:多晶铸锭的小单晶颗粒之间的晶界会降低电池的发电能力,多晶铸锭
,如下图所示:多晶晶体的生长工艺本身决定了它无法生长出大面积单一晶向的晶体(单晶),多晶的本质就是大量的小单晶的集合体,如下图所示:多晶铸锭的小单晶颗粒之间的晶界会降低电池的发电能力,多晶铸锭本身简单
单晶硅棒,如下图所示:
多晶晶体的生长工艺本身决定了它无法生长出大面积单一晶向的晶体(单晶),多晶的本质就是大量的小单晶的集合体,如下图所示:
多晶铸锭的小单晶颗粒之间的晶界会降低电池的发电能力
,多晶铸锭本身简单粗暴的工艺使得它更容易大规模扩张,但是却无法将位错缺陷和杂质密度控制在较低水平,这些要素无一不在影响着多晶的少数载流子寿命。
组件功率衰减分为初始光衰和长期衰减两类,单晶综合性
红外波段),具有更高的光学利用率。晶科研发的黑硅电池量产效率已经达到20.13%。II代多晶技术,效率堪比单晶,但CTM/LID等较单晶更低;可采用传统多晶原料及铸锭工艺制备,生产成本远比拉晶而成的单晶
下,无论电池端,还是组件端,单晶较多晶衰减均高1.00%,即单晶比多晶光衰率更高。稳定衰减:单多晶初始光衰的差异是由于硅片性质决定的,而之后的稳定衰减主要根据组件封装材料、工艺决定组件老化速度,所以和
、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明,湿法黑硅技术可在普通电池工艺上提升效率0.2~0.3%,干法可提升效率0.5~0.8%。
图4 多晶硅片技术发展路线图
至于铸锭成本方面
,多晶硅片的铸锭环节,相较于直拉单晶而言,仍具有足够的潜在优势。通过热场升级到G7、加高坩埚、颗粒硅的使用等,铸锭成本优势将得以巩固。
近年来逐步推广PERC等高效电池工艺也将明显提升多晶产品的
/Wp左右。金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后,单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明,湿法黑硅技术可在普通电池工艺
上提升效率0.2~0.3%,干法可提升效率0.5~0.8%。至于铸锭成本方面,多晶硅片的铸锭环节,相较于直拉单晶而言,仍具有足够的潜在优势。通过热场升级到G7、加高坩埚、颗粒硅的使用等,铸锭成本优势
超400亿元。订单总量大,公司未来将迎来持续高增长。单晶替代加速到来,龙头坐享盛宴:随着单晶规模化应用,组件成本进一步降低,当前单多晶光伏电站初始投资差距正在迅速缩小,随着铸锭、切割工艺提升,单晶成本即将
的主要动力。2)硅片方面:公司单晶硅片全年外销1.7GW-1.8GW,较2014年的2GW下降10%~15%。预计贡献净利润2.6亿元-2.9亿元。盈利能力方面,随着新技术、新工艺、新装备的应用,使得
制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后,单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明,湿法黑硅技术可在普通电池工艺上提升效率0.2~0.3%,干法可
提升效率0.5~0.8%。至于铸锭成本方面,多晶硅片的铸锭环节,相较于直拉单晶而言,仍具有足够的潜在优势。通过热场升级到G7、加高坩埚、颗粒硅的使用等,铸锭成本优势将得以巩固。近年来逐步推广PERC等高
过程加速。随着单晶规模化应用,组件成本进一步降低,当前单多晶光伏电站初始投资差距正在迅速缩小,随着铸锭、切割工艺提升,单晶成本即将与多晶拉平。而考虑到单晶组件在效率和热稳定性上的优异表现, 以及
)与此同时,随着新技术、新工艺、新装备的应用,使得公司硅棒和硅片产能稳步增加,产品成本进一步下降,毛利率水平同比提高。百亿大单彰显领先地位,行业龙头坐享单晶盛宴: 近期,公司公布与林洋能源、招商新能源
半导体材料为基础进行能量转换。目前,ink"光伏行业中晶体硅太阳能电池还是占主导位置。晶体硅太阳电池主要分为两种,一种是将圆柱形的单晶硅棒切割成单晶硅片;一种是通过铸锭方式生成多晶硅片。单晶硅棒和
多晶铸锭的质量很大程度上可以影响晶体硅电池片的质量。随着晶体硅电池利用的日益广泛,晶体硅太阳电池局部漏电问题逐渐受到人们的关注与重视。因此晶体硅电池漏电原因的分析与讨论成为晶体硅电池研究的热点之一。在晶体硅