铸锭工艺

多晶的提升空间仍然不小，当多晶也采取诸如连续加料铸锭、黑硅电池工艺配合金刚线切多晶、推动多晶PERC电池等措施时，多晶的性价比优势又会进一步扩大。此外，在效率方面，也不总是单晶占优势，前几年我们都在
优势；相比较而言，多晶产品产业化程度高，通过技术创新、规模效应和产业推动，多晶凭借高性价比一直占据市场主流。从降本措施看，单晶这几年在连续拉晶、金刚线切割、PERC电池工艺等方面已经也已经潜力挖尽，而

双玻组件、跟踪系统、MPPT逆变器等新产品需求。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用。市场供需关系的改变

相对于多晶技术状态，单晶在高效电池上的开发潜力无疑要大很多。这两年，由于单晶转换效率的大幅度提高，生产工艺不断进步，使单晶组件的价格与多晶组件的价格已经非常接近。李世民所指的是乐叶光伏推出的组件产品功率
收益性更好。从效率方面看，随着单晶硅技术创新加快，单晶硅单位非硅成本已与多晶铸锭接近，但转换效率却有明显差异。转换效率作为晶硅电池技术发展过程中最重要的参考数据以及电站发电过程中最为依赖的条件，目前在主流

使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，从而增加了硼-氧对的数量，硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤
多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。　　4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了

寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。 　　多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走

，并不断在快速扩大优势;这种优势正表现在单晶切片环节覆盖多晶铸锭环节的优势，单多晶硅片非硅成本的差距已越来越小。四、电池成本对比单晶的转换效率高于多晶，这不仅表现在普通工艺单晶电池的转化效率高于多晶电池
数据【单晶VS多晶】一、 材料性能对比单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学

对比数据 【单晶VS多晶】 一、 材料性能对比 单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与
多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面与单晶相比有显著差异。因此，两种材料的生产工艺与结构决定了单晶具有以下优势： 1) 单晶硅比多晶硅材料具有更低的晶格缺陷。 2) 单晶硅片比多晶硅片有更高

光谱响应波段更宽(拓展至红外波段)，具有更高的光学利用率。晶科研发的黑硅电池量产效率已经达到20.13%。II代多晶技术, 效率堪比单晶，但CTM/LID等较单晶更低; 可采用传统多晶原料及铸锭工艺制备
较多晶衰减均高1.00%，即单晶比多晶光衰率更高。稳定衰减：单多晶初始光衰的差异是由于硅片性质决定的，而之后的稳定衰减主要根据组件封装材料、工艺决定组件老化速度，所以和是单晶还是多晶的硅片关系不大