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贺利氏:市场整合有利于促进研发创新,推动全球太阳能市场加速增长来源:索比光伏网 发布时间:2019-06-05 18:42:03

2019年6月5日,在SNEC第十三届(2019)国际太阳能光伏与智慧能源(上海)展览会暨论坛期间举办的一场媒体沟通会上,贺利氏光伏总裁马丁阿克曼(Martin Ackermann)分享了他对光伏行业的观察和预判。他表示,充分证据表明光伏市场继续呈现超预期增长;行业正在整合、积蓄力量,准备迎接无限创新时代的到来。 根据行业研究和全球光伏行业客户的反馈,贺利氏预测2019年全球太阳能市场

世界乒乓球冠军蒂姆•波尔现身贺利氏光伏展台,分享使用光伏发电的经验来源:索比光伏网 发布时间:2019-06-05 18:37:35

SNEC光伏展前夕,全球领先的光伏行业金属化浆料提供商贺利氏光伏日前宣布,将在上海和新加坡设立先进的创新中心,进一步扩大贺利氏在中国和新加坡的研发能力。同时,贺利氏特邀的世界乒乓球冠军蒂姆波尔
聚焦中国客户的技术需求。预计今年9月,实验室人员将配备到位,并正式投入运营。我们将与客户密切合作,进一步优化现有金属化银浆,缩短客户产品的上市周期。同时,贺利氏光伏还将加强新加坡技术中心的研发能力,该

贺利氏光伏推出新一代高性能金属化浆料,重塑效率和价值新标准来源:索比光伏网 发布时间:2019-06-05 18:25:09

SNEC第十三届(2019)国际太阳能光伏与智慧能源(上海)大会暨展览会于6月4日至6日在上海浦东新国际博览中心举办。全球领先的光伏行业金属化浆料提供商贺利氏光伏在展会上推出最新的高性能、高效
金属化浆料SOL966X系列。 该系列银浆可满足电池厂商的各种需求,帮助他们提高转换效率和性价比,其中包括: SOL9661B系列,适用于高效PERC电池:该产品专为超细线印刷而设计,可在规模化

人气爆棚,有腔调的阿特斯高效P5新品发布会!来源:阿特斯阳光电力集团 发布时间:2019-06-04 20:26:35

)。 阿特斯电池效率创新的世界记录 阿特斯P5多晶使用的是一种最新的铸锭技术。这项破纪录的阿特斯高效电池技术采用P5硅片,并完美结合选择性发射极、氧化硅钝化、叠层减反射、氧化铝背钝化、先进金属化

新政终落地、企业被抛售!本周光伏产业亮点多多来源:光伏事 发布时间:2019-06-03 08:53:36

多晶电池的世界纪录。 据了解,阿特斯P5多晶使用的是一种最新的铸锭技术。这项破纪录的阿特斯高效电池技术采用P5硅片,并完美结合选择性发射极、氧化硅钝化、叠层减反射、氧化铝背钝化、先进金属化等多项电池技术

世界乒乓球冠军蒂姆·波尔将来到SNEC贺利氏光伏展台,分享使用光伏发电的经验来源:大众新闻网 发布时间:2019-05-29 14:55:25

SNEC光伏展前夕,全球领先的光伏行业金属化浆料提供商贺利氏光伏日前宣布,将在上海和新加坡设立先进的创新中心,进一步扩大贺利氏在中国和新加坡的研发能力。同时,贺利氏特邀的世界乒乓球冠军蒂姆波尔
客户的技术需求。预计今年9月,实验室人员将配备到位,并正式投入运营。我们将与客户密切合作,进一步优化现有金属化银浆,缩短客户产品的上市周期。同时,贺利氏光伏还将加强新加坡技术中心的研发能力,该中心专注于

22.28%,阿特斯P5多晶太阳电池创造新的世界纪录!来源:阿特斯阳光电力集团 发布时间:2019-05-29 08:33:16

、氧化铝背钝化、先进金属化等多项电池技术,进行全方位的工艺整合,最终创造出22.28%的新的光电转化效率世界纪录。其中阿特斯专有的自主知识产权湿法黑硅陷光技术,大幅降低了电池片的正面反射率,确立了短路电流的

东方日升单晶PERC电池最高效率突破23% ,MBB新技术将量产来源:索比光伏网 发布时间:2019-05-23 17:50:41

降本增效之路上取得的又一重大成果。 相比于5BB电池,MBB单晶电池在金属化接触这一关键性技术上更为优化,有效降低了遮光面积;在减少隐裂现象发生的同时,提升载流子收集能力,大大提升了电池的转换功率

占领技术高地光伏领先企业转型加速来源:互联网 发布时间:2019-05-19 20:12:14

正式发力向技术领先转型。 据了解,2009年天合光能利用独有的金属化和钝化技术,突破了18.8%的高效光电转化效率,而在业内人士最为关心的代表光伏技术和质量水平的核心指标(kWh/kWp)方面,也

PERC、IBC、SHJ、TOPCon、HBC等高效光伏电池简史来源:材料导报、摩尔光伏 发布时间:2019-05-13 10:41:30

公司及随后的Panasonic公司在单晶硅异质结太阳电池(HIT,也称SHJ)领域一直处于领先地位,经过对本征a-Si∶H钝化层、背部场结构、高导电与高透过ITO、陷光结构、金属化栅线和硅片厚度等
n+掺杂的多晶硅,接着通过进行高温(70~900℃)退火和氢钝化改善硅薄膜的形貌与带隙,最后正、反金属化采用电子束蒸发的Ti/Pd/Ag叠层和热蒸发的Ag实现,最终效率达到25.1%(Voc=718mV