背面钝化
面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。工艺流程：制绒槽水洗碱洗水洗 酸洗水洗吹干。一般情况下，硅与HF、HNO3（硅表面会被钝化）认为是不反应的。当存在于两种混合酸的体系中，硅与混合溶液的反应
得N型半导体。三、刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成
一代湿法黑硅技术，其效率更高、成本更低，更兼容高效多晶PERC技术。保利协鑫TS+系列黑硅片开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成
副总裁郑雄久、副总裁胡晓君等出席发布会，保利协鑫副总裁吕锦标主持发布会。金善明报告指出，保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化
独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验
、首席技术官万跃鹏、高级副总裁郑雄久、副总裁胡晓君等出席发布会，保利协鑫副总裁吕锦标主持发布会。
金善明报告指出，保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的
陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验证，TS+黑硅在上一代黑硅的基础上
，电池效率增益将再提升0.05-0.1个百分点，总体提升达0.3至0.4个百分点。TS+背面采用抛光技术，使得硅片制绒加工成本降低40%以上，达2-3分/瓦；同时，具备更高反射率的背表面，为背钝化技术的
陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验证，TS+黑硅在上一代黑硅的基础上
，电池效率增益将再提升0.05-0.1个百分点，总体提升达0.3至0.4个百分点。TS+背面采用抛光技术，使得硅片制绒加工成本降低40%以上，达2-3分/瓦；同时，具备更高反射率的背表面，为背钝化技术的
PERC(背钝化和局部背电极)技术是晶硅太阳电池近年来最具性价比的效率提升手段。与常规电池产线兼容性高，产线改造成本低，是未来3-5年内的主流电池技术。
而双面 PERC 电池仅略微改变电池结构
的组件功率和75%的组件双面率;晶澳也在SNEC上展示了295W(60片)和350W(72片)的产品。
单晶PERC双面，在电池正面效率达到21.5%的基础上，背面受光可带来明显的功率增益
是通过增加电池的光吸收方面，比如光陷阱结构，就是通过化学刻蚀或制绒等手段来增加电池的光吸收效率；第二是通过有效分离光生载流子，降低载流子复合来实现电池效率的提高，常用的手段为增加背场、增加钝化层、改善衬底
材料等。以下为小编列出的几种正在开发的电池前沿技术，以作参考。1、IBC电池IBC电池即全背电极接触晶硅光伏电池，选用N型衬底材料。IBC电池的优势在于正负极的金属接触均在电池片的背面，使得电池表面
制成P+N结（3）背面扩散磷制成N+N结（4）双面钝化薄膜（5）双面金属化，结构示意图如图1所示。图1 nPERT电池结构示意图2、nPERT双面电池技术特点nPERT双面电池采用N型硅作衬底，具有
电性能正在引起很多一流制造厂商和市场的密切关注。PERT（Passivated Emitter，Rear Totally-diffused cell），钝化发射极背表面全扩散电池，是一种典型的
朝下游转型。张秉衡说随着技术进步，太阳能组件扩张容易，估计建置250MW组件线的费用，竟比将原本的太阳能电池旧产线升级到背面钝化（PERC）产线还要便宜。但他强调，太阳能组件的销售难度相对高，要抢攻外销
