背面钝化

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天合光能再度荣获中国专利优秀奖来源:索比光伏网 发布时间:2017-12-19 09:08:46

近日,国家知识产权局公布第十九届中国专利奖获奖名单,天合光能有限公司的发明专利晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法(专利号:ZL201310440907.5)荣获中国专利优秀奖,天合光能已
情况,保护状况和管理情况,要求专利技术产品在国际上具有一定的影响力。 获奖专利首次提出了一种新型晶体硅太阳电池背接触电极的制备工艺,成功解决了背钝化电池局域背场的形成以及金属接触的关键技术难题,可显著提高

分布式光伏降本增效取得积极进展 分布式能源迎来“技术奇点”来源:中能智库 发布时间:2017-12-12 11:36:49

传统的晶硅材料不断研发以及碲化镉、铜铟镓硒、钙钛矿等新型材料技术的突破,光伏组件能量转换效率不断提高,抗老化、抗紫外、导热、阻燃等性能也大幅提升。金刚线切割、钝化发射区背面电池(PERC)技术等成为行业

分布式光伏降本增效获显著进展 分布式能源迎来“技术奇点”来源:中能智库 发布时间:2017-12-12 11:25:15

材料不断研发以及碲化镉、铜铟镓硒、钙钛矿等新型材料技术的突破,光伏组件能量转换效率不断提高,抗老化、抗紫外、导热、阻燃等性能也大幅提升。金刚线切割、钝化发射区背面电池(PERC)技术等成为行业热词,得到市场

分布式光伏降本增效获显著 全球分布式能源项目呈现“井喷式”的发展来源:中能智库 发布时间:2017-12-11 23:59:59

紫外、导热、阻燃等性能也大幅提升。金刚线切割、钝化发射区背面电池(PERC)技术等成为行业热词,得到市场的逐渐认可;与此同时,之前甚少企业介入的全背接触式电池(IBC)、异质结电池(HIT)以及金属缠绕

太阳能电池跌价法则话从头 史旺森谈“史旺森定律”来源:科技新报 发布时间:2017-12-04 09:41:51

学习曲线定律下降,在当前太阳能出货量远较过去激增的情况下,太阳能进一步降价速度也相当可期。史旺森认为,即使没有补贴,太阳能也很快就会成为最便宜的电力来源。以如今占太阳能电池市场约三分之一的钝化发射极背面接触

隆基乐叶宣布单晶双面PERC电池双面率达82.15%,突破PERC双面率纪录来源:PV-tech 发布时间:2017-11-30 23:59:59

快速提高 PERC技术通过对电池背面进行介膜钝化,采用局部金属接触,大大降低了电池被表面复合速度,同时提升光反射,使得电池的开压和效率得到提升。 双面PERC电池通过略微改变电池结构,在成本上与单晶
PERC产品相差无几,在保持原先单面PERC高转换率的基础之上,可以做到背面同时发电,这样双面发电对整个系统而言大约增加了10%-25%的系统发电增益。 这便意味着,在生产制造成本没有明显增加的情况下

这一次,世人看到隆基乐叶的“两面性”来源:世纪新能源网 发布时间:2017-11-30 23:59:59

PERC技术通过对电池背面进行介膜钝化,采用局部金属接触,大大降低了电池被表面复合速度,同时提升光反射,使得电池的开压和效率得到提升。双面PERC电池通过略微改变电池结构,在成本上与单晶PERC产品
相差无几,在保持原先单面PERC高转换率的基础之上,可以做到背面同时发电,这样双面发电对整个系统而言大约增加了10%-25%的系统发电增益。这便意味着,在生产制造成本没有明显增加的情况下,发电量显著增加

太阳能电池片科普系列——组件封装篇来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2017-11-30 14:16:30

焊带在背面焊接时与后面的电池片的背面电极相连。串焊:背面焊接是将N张片电池串接在一起形成一个组件串,电池的定位主要靠一个膜具板,操作者使用电烙铁和焊锡丝将单片焊接好的电池的正面电极(负极)焊接到后面

太阳能电池片科普系列——烧结篇来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2017-11-29 17:10:20

电极在高温的作用下与硅片形成良好的接触欧姆接触,从而提高太阳能电池片的开路电压和填充因子,同时烧结炉内的高温可以促使镀膜工艺过程中产生的H向电池内部扩散,对太阳能电池片有良好的钝化作用,提高太阳能电池的
硅片底部的空气。 烧结温度曲线烧结各温区作用烘干区:使有机溶剂脱离浆料烧结区烧结区:使电极、背场可形成良好的欧姆接触,减小串阻三、理想的烧结效果正面电极烧穿氮化硅,镀膜产生的H扩散进硅,背面Ag、Al

超级干货 | 太阳能电池片科普系列——流程篇来源:光伏盒子 发布时间:2017-11-25 19:10:36

状无规则绒面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。 工艺流程:制绒槽→水洗→碱洗→水洗 →酸洗→水洗→吹干。 一般情况下,硅与HF、HNO3(硅表面会被钝化)认为是不反应的。当存在于两种混合酸的
玻璃(PSG),磷原子向硅中扩散 ,制得N型半导体。 三、刻蚀 在扩散工序,采用背靠背的单面扩散方式,硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射,P-N结的正面收集到的光生电子会沿着