背面钝化

场和形核材料，有效降低硅片内部缺陷密度50%以上。同时采用的金刚线切割技术，可降低多晶硅片的表面损伤，提升电池综合效率。 该线电池端采用新一代电池表面处理和背钝化技术，最大程度优化电池表面陷光能
力，微观上使电池表面结构更加均匀统一，大幅提高光子利用率。同时，该技术进一步改善电池表面钝化水平，降低少数载流子的复合速率。新的背钝化工艺，能有效地提升电池片的电压及电流收集能力，大幅降低由激光制程造成的

世界纪录。为制备创纪录的大面积P型多晶硅太阳电池，天合光能在高质量多晶硅衬底上，综合运用了自主研发的先进电池背面钝化和表面处理技术。该电池21.25%的光电转换率由权威光伏测试机构 -- 德国

背面钝化和先进金属化技术。 2014年11月，研发人员在156 mm156 mm工业级大面积p型单晶硅和多晶硅衬底上分别实现了电池效率21.40%和20.76%的世界纪录(均经第三方机构德国

世界纪录的高效Ｐ型电池采用了先进的背面钝化技术和优良的陷光技术。德国权威的光伏研究所Fraunhofer ISE测试标定实验室确认，其在大面积Cz硅片(156156 mm2)衬底上达到21.4%的光电转换

，如今提高电池效率的有效方法是在晶体硅电池背面制造过程中引进新的先进工艺。今年以来，产能的升级导致在一种在电池背面制造中使用新设备的技术迅速增长，这一技术被称为钝化发射极背面接触（PERC）太阳能电池

继续领导太阳能光伏生产，占2014年组件产量的35%。但是，2014年增长势头最强劲的将是改进P型多晶技术，包括二次印刷、离子注入、选择性发射极、MWT/EWT，以及背面钝化等。此类技术的占比将从

钝化和局部铝背场）工艺技术。PERC工艺采用原子层沉积(ALD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，在硅片背面形成氧化铝膜层，然后再在该膜基础上生长一层氮化硅膜进行保护。通过在背钝化膜层采用

真空镀膜系统可用于晶体硅太阳能电池正面和背面钝化，Manz 亦推出LAS 2400 激光开孔新系统，用于背面介质钝化镀镆的激光开孔。PERC电池技术可以使晶硅太阳能电池的效率提高1%，因此可以显著地削减

达到20.5%和18.8%，采用钝化发射极背面接触技术(PERC)和黑硅技术的先进生产线则分别达到21.3%和19.2%。多晶硅生产工艺进一步优化，行业平均综合电耗已降至70KWh/kg以下。 三是