缺陷率

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组串式逆变器那些事儿来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-23 16:55:28

装上清一色组串式。作为传统龙头老大的xx电源迅速奋起反击,立马提出组串式价贵、PID、调度、故障率高、整机更换等等,什么招数一齐上阵,最终结论是因地制宜选用逆变器。其实个人很认可这个结论,毕竟有人喜欢黑猫
发电量。但是,注意这个但是,组串式系统仍然存在大量的组件串联,并且还有两个组串并联,仍然不可避免存在木桶效应,这个缺陷同样造成组件热斑问题,影响系统长期工作的稳定性和安全性;也会导致失配损耗,降低光伏电站的

丝网印刷工艺中的悬浮网板技术来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-23 14:46:28

摘要:丝网印刷工艺中借助悬浮网板印刷起始边的抬头功能,保证浆料脱离角度的一致性并提高网布脱离速度,进而提升电池片印刷质量,有效降低网板粘片率;通过悬浮网板印刷终止边的下探功能,降低网布形变量,有效
提升标准尺寸高张力网板的使用寿命。 一、广泛使用中的丝网印刷设备及其技术缺陷 目前广泛使用的太阳能电池丝网印刷设备,其设计理念来自半导体电路板印刷设备,这些转型开发的设备无法根本解决电路板与电池片

什么是perc电池?perc太阳能电池原理|技术|生产流程|工艺流程详解!来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-20 10:41:39

抛光。 钝化膜 硅片内部和硅片表面的杂质及缺陷会对光伏电池的性能造成负面影响,钝化工序就是通过降低表面载流子的复合来减小缺陷带来的影响,从而保证电池的效率。 晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和
。 钝化主要通过以下两种方式来减小复合速率,提高少数载流子寿命:一是化学钝化,即使界面的各种缺陷态饱和,降低界面缺陷浓度,从而减少禁带内的复合中心;二是场效应钝化,即通过电荷积累,在界面处形成静电场

硅片清洗技术 有你所忽视的要诀吗?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-16 10:44:11

中,从而有效去除颗粒杂质。实验表明,当H2O:H2O2:NH3H2O为5:1:0.25时,颗粒的去除率最高,但是增加了硅片表层的粗糙度和缺陷。SC-2即HCl和H2O2和H2O按照1:1:5的比例配置
、水汽、氧化层,而且硅片表面要求具有原子级的平整度,硅片边缘的悬挂键以结氢终止。目前,由于硅片清洗技术的缺陷,大规模集成电路中因为硅材的洁净度不够而产生问题甚至失效的比例达到50%,因此优化硅片的清洗

太阳能选择性吸收涂层生产线铝带张力控制的研究来源:太阳能杂志 发布时间:2018-07-12 09:25:23

是在间接张力的电流环和速度环基础上,再加入一个张力闭环,形成三闭环的控制。该系统的优点是:控制精度好,有良好的动态性能和跟随性能;缺点是:造价高,控制方式较为复杂,且存在一些缺陷,比如,初始建立张力时
2 倍的铝带厚度 h,因此有: 由上述推导最终可得到惯性转矩MJ 为: 由式(17) 可知,当铝带的型号确定好之后,影响惯性转矩的变量只有带材的线速度V、速度变化率V/t和卷径

影响光伏电站发电量的因素都有哪些?来源:英利光伏能源 发布时间:2018-07-11 19:57:04

近期咨询光伏电站发电量问题的小伙伴越来越多,小编收集了一些最能影响光伏组件发电量的因素,希望能够帮到大家! 1、组件品质 由于电池片隐裂、黑心、氧化、虚焊,以及背板等材料缺陷和长期使用老化等因素
域透光率下降,从而使热斑进一步恶化,导致太阳能电池组件的失效加剧。 6、温度系数 晶硅电池的温度系数一般为-0.4%~-0.45%/℃,并且单晶温度系数小于多晶。外界环境温度的变化及组件在工作

纯干货!怎样你就能凭光伏电站赚大钱来源:光伏头条 发布时间:2018-07-11 11:09:02

人员需要及时后台启动。 处理办法:联系厂家到场,重新下装经纬度程序,时间跑偏缺陷消除。 开机启动时碰到阴天或云层遮挡,辐照强度在启机的临界状态徘徊,开机电压在(650V)值左右摆动,暂时没有明显超过
,网线受力折断,通信中断。 处理办法 :增大网线与门的距离,更换网线后缺陷消除。 3、光伏电站投产初期汇流箱保险底座易烧坏 故障情况 :工作人员查看后台监控数据,发现其中一个汇流箱输出电流偏低

火电厂生产指标、运营指标、燃料指标来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-10 10:43:23

一 主要指标介绍 1、 供电煤耗:指火力发电机组每供出单位千瓦时电能平均耗用的标准煤量。他是综合计算了发电煤耗及厂用电率水平的消耗指标。因此,供电标煤耗综合反映火电厂生产单位产品的能源消耗
水平。 供电煤耗=发电耗用标准煤量(克)/供电量(千瓦时)=发电耗用标准煤量(克)/发电量X(1-发电厂用电率)(千瓦时) 2、 影响供电煤耗的主要指标 1) 锅炉效率:锅炉效率是指有效利用热量与

P型单晶硅电池衰减原因与改善措施来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-09 16:19:49

恢复。经过几年的联合研究,通过大量的实验清楚的认识了Cz-Si光衰减的缺陷,证实了引起Cz-Si光衰减缺陷的主要成分是硼和氧。研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%,故后者更易于吸引硅
Cz-Si作高效电池具有很大潜力。但由于镓在硅中的分凝系数比硼在硅中的分凝系数要低,以致掺硼的硅棒电阻率比掺镓的硅棒电阻率在沿晶体生长方向的变化较大,使得工艺控制相对较难,这也是其现阶段仍难较大推广的

浅谈“非主流”光伏技术(十四)——逆变器寿命与温度来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-05 14:25:22

: =24000/6/365=10.9 年 金属薄膜电容器具有高储能密度、造价低、软失效等特性,它是由两张单面蒸涂薄金属(铝或铝合金)的有机膜绕卷而成的,由于膜带有杂质或缺陷的区域,这些区域的耐电强度较低
液晶驱动板属小信号处理,功耗极小,因此故障率相对较低。所以黑屏故障一般主要是电源和驱动部分。 那么主要问题来了,电源和驱动板由于功耗较大如果散热不良,线路板容易老化,同时滤波的电解电容的电解液容易被