离子刻蚀设备

部分产品如扩散炉、 等离子刻蚀机等开始少量出口，可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种，其中有6种（扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉）已在国内生产线占据主导地位，2种

占主导地位的晶硅太阳能电池生产中，激光器一直被用于切割硅片和边缘绝缘。电池边缘的掺杂是为了防止前电极和背电极的短路。在这一应用上，激光已胜过其它传统的工艺。等离子刻蚀未能满足自动化要求，破损率很高。经验证的
集成到生产线上。所谓的刻线是将30-80m大小的单个光脉冲串联起来，而在P1中采用几十纳秒脉宽(10到80ns)的脉冲来刻蚀。当加工到膜层的边缘时，材料的一部分被升华，蒸汽压力可以吹走被刻蚀的材料。因此

机等。 而LED生产设备则新增3类设备，分别为金属有机化学气相沉积设备、等离子体刻蚀机台、氧化铟锡溅射台。此外，按照《通知》规定，4月1日起，凡符合规定条件的国内企业为生产该三类装备或产品，而确有

：粗糙表面上的材料生长控制技术、高速纳米晶体硅沉积技术、多步顶衬刻蚀、静态及动态等离子沉积技术。 　　参加这一项目的机构包括： 　　洛桑联邦理工学院（EPFL） 　　捷克科学院物理研究所
材料（例如掺杂纳米晶体氧化硅nc-SiOx，和高结晶度纳米晶体硅nc-Si材料）、顶层电池材料、纳米压印材料、以及透明导电氧化层。 　　多节太阳能电池的制造还仰赖于合适的设计及设备。其中的难点包括

材料生长控制技术、高速纳米晶体硅沉积技术、多步顶衬刻蚀、静态及动态等离子沉积技术。参加这一项目的机构包括：洛桑联邦理工学院(EPFL)捷克科学院物理研究所(FyziklnstavAVR,v.v.i
(例如掺杂纳米晶体氧化硅nc-SiOx，和高结晶度纳米晶体硅nc-Si材料)、顶层电池材料、纳米压印材料、以及透明导电氧化层。多节太阳能电池的制造还仰赖于合适的设计及设备。其中的难点包括：粗糙表面上的

沉积设备、等离子体刻蚀机台、氧化铟锡(ITO)溅射台。LED是技术引导型产业，特别是技术与资本密集型的芯片制造业，需要高端的工艺设备提供支撑。但与半导体投资热潮下的“瓶颈”类似，设备研发与产业膨胀仍然

扩散，制成PN+结，结深一般为0.3-0.5um。(5)周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。(6)去除背面PN+结。常用湿法
表面上复盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2，SiO2，Al2O3，SiO，Si3N4，TiO2，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。(9

产业的升级加速。本土企业半导体制造设备的研发水平提高，表现不俗。格兰达自主研发的全自动晶圆检测机已于2008年实现上市销售。北方微电子研制出100纳米等离子刻蚀机、LED的刻蚀机，获得多家客户认证

机，硅片自动分选机等关键光伏生产设备。支持多槽制绒清洗设备、全自动平板式等离子体增强化学汽相沉积（PECVD）、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、全自动印刷机、快速烧结炉等晶硅太阳能光伏电池片生产线设备和PECVD等薄膜太阳能光伏电池生产设备。促进光伏生产装备的低能耗、高效率、自动化和生产工艺一体化。

线设备中的8种，其中有6种（扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉）已在国内生产线上占据主导地位，2种（管式PECVD、快速烧结炉）与进口设备并存但份额正逐步增大。此外，全自动