离子体反应

对电池前表面进行粗糙处理，可以降低电池的前反射率，并更好地将光耦合到电池中，从而能够更有效地俘获光子。等离子体粗糙处理是通过使用氟基化学物质在一个反应器中来完成的。结果表明，电流密度增加了约15%（在
丝网印刷外延电池的Jsc达到30 mA/cm2，效率达到13.8%。 　　对这些结果有贡献的第一项改进是采用氟基等离子体粗糙处理得到的表面光散射（图3）。理想情况下，这种经过粗糙处理的有源层表面会使光

元素的高合金钢，其最大特点是耐腐蚀能力较强，但不锈钢并非绝对不生锈。　　在沿海地区或某些空气污染严重的地方，当空气中氯离子含量较大时，暴露在大气中的不锈钢表面可能会有一些锈斑，但这些锈斑只限于表面，不会
侵蚀不锈钢内部基体。　　不锈钢的种类很多，按其组织分类有：奥氏体钢、铁素体钢、马氏体钢、双向不锈钢(奥氏体+铁素体)。不锈钢大多数带有磁性，因此，用磁体吸附不是鉴别不锈钢的科学方法。 根据各种不锈钢的

。因此，原来需要高温下才能进行的化学反应，通过放电等离子体的作用，在较低温度下甚至在常温下也能够发生。PECVD法沉积薄膜的过程可以概括为三个阶段： 1.SiH4分解产生
活性粒子Si、H、SiH2 和SiH3等； 2.活性粒子在衬底表面的吸附和扩散； 3.在衬底上被吸附的活性分子在表面上发生反应生成Poly-Si层，并放出H2；研究表面，在等离子体辅助沉积过程中

内部晶界密度大，材料缺陷密度高，而且属于高温退火方法，不适合于以玻璃为衬底制备多晶硅。 等离子体增强化学反应气相沉积（PECVD） 等离子体增强化学反应气相沉积（PECVD）法是利用辉光放电

能源是现代社会存在和发展的基石。随着全球经济社会的不断发展，能源消费也相应的持续增长。随着时间的推移，化石能源的稀缺性越来越突显，且这种稀缺性也逐渐在能源商品的价格上反应出来。在化石能源供应日趋紧张
能源商品的价格上反应出来。 　　能源供应的紧张和价格的高涨对能源消费大国有着深刻的影响。作为全球能源市场日趋重要的组成部分，目前我国的能源消费量已占世界能源消费总量的15%。据预测，目前我国主要能源煤炭

目前，制备多晶硅薄膜的工艺方法主要有以下几种： （１）化学气相乘积法（ＣＶＤ法） （２）等离子体增强化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ法） （３）液相外延法（ＬＰＥ） （４）等离子体溅射沉积法
POWER公司和德国ＭＡＸ－ＰＬＡＮＫ研究所对这一技术进行了深入的研究。前者用ＬＰＥ法制备的电池，效率已达12.2%，但技术细节十分保密。 等离子体溅射法是一种物理制备法，还很不成熟。其主要

喷涂法（PSM） 采用DC一RF混合等离子系统。以纯度为99.9999％，粒度为50m一150m的p-型晶体硅粉作为原材料，用Ar气作为携带气体，由DC-RF等离子体进行喷涂。原料贮存盒和
携带气体管道涂覆Si-C-N-O化合 物，防止金属杂质污染。 硅粉在高温等离子体中加热熔化。熔化的粒子沉积在衬底上，衬底由加热器加热，沉积前，用红外热偶测试衬底温度，使之保持在1200℃，沉积

采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七i薄膜。开始
中的氢的移动有关a-Si材料是在较低的温度下，通过硅烷类气体等离子体增强化学分解，在衬底上淀积获得的。它的硅网络结构不可避免地存在硅的悬键。这些悬键如果没有氢补偿，隙态密度将非常高，不可能用来制作

。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可

等离子体处理。这是上述两种方以结合。脉冲氖灯光照法是在一层一层生长a-Si薄膜的问隔，周期地用脉冲氖灯光照处嘟膜表面，稳定性有显著提高。在制备a-Si的源气中加入适量的四氟化硅就可实现a-Si以．掺氟使
畦网络结构更稳定。本征8si呈弱N型，掺入痕量硼可将费来能级移向带隙中央，既可提高光灵敏度又可减少先致衰退。 6．新制备技术探索 射频等离子体强CVD是当今普遍采用的制备a一Sl