离子体反应

两个表面同时进行清洗、干燥。首先磁控溅射沉积金属和金属氧化层，以增强衬底的反射率。然后采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅层，以形成叠层太阳电池结构，这是整个制造过程中最关键的工艺步骤
。对于三结非晶硅太阳电池来说，需要在已经做好的背反射器的表面连续沉积9层硅基薄膜，包括3个P-I-N结子电池，各分离的反应室之间需要设计独特的气氛隔离室以防止相邻反应室间的气体交叉污染。硅基薄膜沉积完成

不稳定性，二是电子和离子的辐射会对所沉积的薄膜构成化学结构上的损伤。等离子体作为准中性气体，它的状态容易被外部条件的改变而发生变化。衬底表面的带电状态，反应器壁的薄膜附着，电源的波动，气体的流速都会

层流状态。1.2PECVD过程中的微观过程（1）气体分子与等离子体中的电子发生碰撞，产生出活性基团和离子。其中，形成离子的几率要低得多，因为分子离化过程所需的能量较高。（2）活性基团可以直接扩散到衬底

金属杂质聚集的部分后，将硅锭粗粉碎并清洗，并在等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质
冶金硅（纯度要求在99.5%以上）与氯化氢（HCl）合成产生便于提纯的三氯氢硅气体（SiHCl3，下文简称TCS），然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积（CVD）将高纯度的TCS转化

等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质直接生成太阳能级多晶硅。(冶金法的典型工艺流程，摘自中国
(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3，下文简称TCS)，然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS转化为高纯度

SHARP公司。主要工艺是：选择纯度较好的工业硅(即冶金硅)进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向
提纯方法主要有西门子法(气相沉淀反应法)、甲硅烷热分解法、流态化床法，而物理提纯方法主要有区域熔化提纯法(FZ)、直拉单晶法(CZ)、定向凝固多晶硅锭法(铸造法)。图1是西门子公司的代表在2008年

外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接
硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。2、硅烷法硅烷热分解法硅烷是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等

膜蛋白在绿色植物中含量最为丰富，被视为捕光复合物。这是一个具有典型正20面体对称特征的空心球体，其中布满了色素分子，以便吸收光能并进行传递。这些色素分子,包括叶绿素a(Chlorophylla
的波长是0.77微米-1000微米，分为近红外、中红外)。从以叶绿素为主的捕光系统到光反应中心，再加上10种辅助因子(如锰、铁、镁等)的共同作用，光合作用这个复杂且精巧的系统，把光转化成电，再转化

我国的太阳能电池转换效率进一步提高提供一条途径。 　　关键词：等离子体增强化学气相淀积；PECVD，太阳电池；氮化硅 　　0引言　　氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流
微观过程　　1气体分子与等离子体中的电子发生碰撞，产生出活性基团和离子。其中，形成离子的几率要低得多，因为分子离化过程所需的能量较高。　　2活性基团可以直接扩散到衬底表面。　　3活性基团也可以与其

、晶体硅电池生产设备等，具体包括全自动硅芯/硅棒清洗设备、全自动硅料清洗设备、全自动硅片清洗设备、全自动单晶制绒酸洗综合设备、多晶链式制绒设备、湿法刻蚀设备、等离子体刻蚀机、PECVD、非晶硅玻璃基片清洗
去除其表面的一些颗粒、金属离子以及有机物。但硅片清洗的好坏在一定程度上会影响硅片的质量，处理不当会损害硅片的稳定性与可靠性，甚至使得整个产品报废。由于硅片在进入每道工艺之前表面都必须是洁净的，所以需